福建金石能源有限公司林锦山获国家专利权
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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118156362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311648458.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法是由林锦山;张超华;廖培灿;黄晓狄;黄天福;杨清霖;林泗镇设计研发完成，并于2023-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，它包括如下步骤，步骤A，准备正面形成N型异质结膜层、背面形成P型隧穿结构膜层的太阳能电池片；步骤B，在太阳能电池片的正面形成正面透明导电膜层，在太阳能电池片的背面形成背面透明导电膜层；步骤C，对太阳能电池片背面待覆盖背面电极的区域进行激光处理，使该区域的背面透明导电膜层的晶化率得到提高；步骤D，在太阳能电池片的正面形成正面电极，在太阳能电池片的背面形成背面电极。本发明的目的在于提供一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，可以改善载流子在电池背面传输引起的电学功率损失，能够提高电池效率，具有较高的可执行性和量产性。
本发明授权一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：它包括如下步骤， 步骤A，准备正面形成N型异质结膜层、背面形成P型隧穿结构膜层的太阳能电池片；所述P型隧穿结构膜层为在半导体基板背面依次形成隧穿氧化膜层和P型半导体膜层； 步骤B，在太阳能电池片的正面形成正面透明导电膜层，在太阳能电池片的背面形成背面透明导电膜层； 步骤C，对太阳能电池片背面待覆盖背面电极的区域进行激光处理，使该区域的背面透明导电膜层的晶化率得到提高； 步骤D，在太阳能电池片的正面形成正面电极，在太阳能电池片的背面形成背面电极； 所述步骤C激光处理的处理深度H与背面透明导电膜层的厚度D、P型半导体膜层的厚度d的关系为H＝XD+Yd，其中X为1，Y为0-0.5，Y不为0。
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