昆明理工大学席风硕获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118183749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410350580.0，技术领域涉及：C01B33/02；该发明授权一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法是由席风硕;牛研捷;马文会;李绍元;陆继军;魏奎先;陈正杰;万小涵;刘昊博设计研发完成，并于2024-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种纳米硅@SiOxMXene复合负极材料及其制备方法，属于硅切割废料回收利用技术领域。本发明将硅切割废料进行氧化处理，得到纳米硅@SiOx；再将纳米硅@SiOx和pH缓冲溶液混合，得到带负电的纳米硅@SiOx；将前驱体MAX刻蚀得到MXene，MXene和阳离子表面活性剂溶液混合，得到带正电的MXene；最后将带负电的纳米硅@SiOx、带正电的MXene和pH缓冲溶液混合，得到纳米硅@SiOxMXene复合负极材料。本发明制备的纳米硅@SiOxMXene复合负极材料克服锂离子电池充放电过程中硅材料体积膨胀和电导率差的问题，显著提高了硅基负极材料的电化学性能。
本发明授权一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米硅@SiOxMXene复合负极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1将硅切割废料进行氧化处理，得到纳米硅@SiOx； 2将纳米硅@SiOx和pH缓冲溶液混合，得到带负电的纳米硅@SiOx； 3将前驱体MAX刻蚀得到MXene，MXene和阳离子表面活性剂溶液混合，得到带正电的MXene； 4将带负电的纳米硅@SiOx、带正电的MXene和pH缓冲溶液混合，得到纳米硅@SiOxMXene复合负极材料； 所述带负电的纳米硅@SiOx和带正电的MXene的质量比为1～4：0.5～1。
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