天合光能股份有限公司仇翔获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410329487.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池是由仇翔;柳伟;吴魁艺;胡匀匀;陈达明设计研发完成，并于2024-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请公开了一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，属于太阳能电池技术领域。该方法包括：在硅衬底的一面开设凹槽；在硅衬底的一面依次制备隧穿氧化层和本征多晶硅层；在本征多晶硅层上制备第一掺杂氧化硅层；去除位于凹槽外的第一掺杂氧化硅层，露出本征多晶硅层；将位于凹槽内的第一掺杂氧化硅层的掺杂源推进至本征多晶硅层，形成第一掺杂多晶硅层；在位于凹槽外的本征多晶硅层上制备与第一掺杂氧化硅层掺杂类型相反的第二掺杂氧化硅层；将位于凹槽外的第二掺杂氧化硅层的掺杂源推进至本征多晶硅层，形成第二掺杂多晶硅层。该方法无需多步掩膜、印刷浆料，可以缩短工序、降低制备成本，提高生产效率，有助于电池量产的实现。
本发明授权背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 在硅衬底的一面开设凹槽； 在所述硅衬底的一面依次制备隧穿氧化层和本征多晶硅层； 在所述本征多晶硅层上制备第一掺杂氧化硅层，所述第一掺杂氧化硅层在所述凹槽外的厚度小于在所述凹槽内的厚度； 去除位于所述凹槽外的所述第一掺杂氧化硅层，露出所述本征多晶硅层； 将位于所述凹槽内的所述第一掺杂氧化硅层的掺杂源推进至所述本征多晶硅层，形成第一掺杂多晶硅层； 在位于所述凹槽外的所述本征多晶硅层上制备与所述第一掺杂氧化硅层掺杂类型相反的第二掺杂氧化硅层； 将位于所述凹槽外的所述第二掺杂氧化硅层的掺杂源推进至所述本征多晶硅层，形成第二掺杂多晶硅层； 所述凹槽侧壁上的所述本征多晶硅层形成隔离层，所述隔离层将所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层间隔开来；所述隔离层的厚度为所述凹槽宽度的10％-15％。
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