福建省晋华集成电路有限公司黄鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410666098.8，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体结构及其制作方法是由黄鑫;吴家伟;阮逸轩;王晓泽设计研发完成，并于2024-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，结构包括：衬底；第一接触层，设置在衬底上；导电沟道，设置在第一接触层上；栅极金属层，环绕导电沟道设置；栅介质层，设置在栅极金属层和导电沟道之间；绝缘层，设置在导电沟道的内侧，且与导电沟道直接接触；第二接触层，设置在绝缘层上；功函数层，位于绝缘层的内部。从而降低导电沟道与栅极金属层之间的功函数差，避免导电沟道与栅介质层的边界载流子累积，有利于降低半导体结构处于关态状态下的漏电流，能够提高栅极金属层对导电沟道的控制能力，降低半导体结构的关态电流。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一接触层，设置在所述衬底上； 导电沟道，设置在所述第一接触层上； 栅极金属层，环绕所述导电沟道设置； 栅介质层，设置在所述栅极金属层和所述导电沟道之间； 绝缘层，设置在所述导电沟道的内侧，且与所述导电沟道直接接触； 第二接触层，设置在所述绝缘层上； 功函数层，位于所述绝缘层的内部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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