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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种紫外光固化机台、控制方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118558564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311722775.5，技术领域涉及：B05D3/06；该发明授权一种紫外光固化机台、控制方法及存储介质是由唐振;于棚;刘婧婧;王晓晨;闫浩设计研发完成，并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外光固化机台、控制方法及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种紫外光固化机台、控制方法，以及存储介质。所述紫外光固化机台包括：工艺腔室，包括石英窗、温控模块和压控模块，其中，所述石英窗用于封闭所述工艺腔室，并允许紫外光穿过所述石英窗照射所述工艺腔室内的样品，以对其进行紫外光固化工艺，所述温控模块和所述压控模块用于在对所述样品的所述紫外光固化工艺中提供对应的第一温度和第一压强的工艺环境，并在对所述石英窗的渗氢工艺中提供对应的第二温度和第二压强的工艺环境；以及氢气管道，连接所述工艺腔室，用于在对所述石英窗的渗氢工艺中，向所述工艺腔室中提供氢气。

本发明授权一种紫外光固化机台、控制方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种紫外光固化机台，其特征在于，包括： 工艺腔室，包括石英窗、温控模块和压控模块，其中，所述石英窗用于封闭所述工艺腔室，并允许紫外光穿过所述石英窗照射所述工艺腔室内的样品，以对其进行紫外光固化工艺，所述温控模块和所述压控模块用于在对所述样品的所述紫外光固化工艺中提供对应的第一温度和第一压强的工艺环境，并在对所述石英窗的渗氢工艺中提供对应的第二温度和第二压强的工艺环境；以及 氢气管道，连接所述工艺腔室，用于在对所述石英窗的渗氢工艺中，向所述工艺腔室中提供氢气，其中，在所述渗氢工艺的第一阶段，所述氢气管道按预设的第一流量向所述工艺腔室提供氢气，所述压控模块将所述工艺腔室中的气压控制在所述第二压强，所述温控模块将所述工艺腔室中的温度控制在所述第二温度，响应于所述第一阶段的持续时间达到预设的第一时长，所述渗氢工艺进入第二阶段，所述氢气管道将通入所述工艺腔室的氢气流量降低到预设的第二流量，所述压控模块将所述工艺腔室中的气压降低到预设的第三压强，并维持第二时长，以完成对所述石英窗的渗氢工艺。

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