滁州捷泰新能源科技有限公司朱玺获国家专利权
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龙图腾网获悉滁州捷泰新能源科技有限公司申请的专利太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410853711.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法及太阳能电池是由朱玺设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请公开了一种太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法及太阳能电池，涉及光伏电池领域。一种太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法，包括以下步骤：在第一温度下，在硅基底上形成隧穿氧化层；使所述第一温度降温至第二温度；在所述第二温度下，在所述隧穿氧化层上形成非晶硅层；使所述第二温度升温至第三温度；在所述第三温度下，在所述非晶硅层上形成多晶硅层。本申请实施例能够提高沉积速率，缩短工艺时间，降低生产成本。
本发明授权太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在第一温度下，在硅基底上形成隧穿氧化层； 使所述第一温度降温至第二温度； 在所述第二温度下，在所述隧穿氧化层上形成非晶硅层，包括：向工艺腔室中通入硅烷，所述硅烷在所述第二温度下分解，以在所述隧穿氧化层上形成所述非晶硅层，其中，所述硅烷的流量范围为1500sccm至2000sccm，所述第二温度的范围为565℃至575℃，所述工艺腔室内压力的范围为220mtorr至240mtorr，工艺时间的范围为1000s至2000s； 使所述第二温度升温至第三温度； 在所述第三温度下，在所述非晶硅层上形成多晶硅层，以通过先降温后升温的方式形成多晶硅层结构，包括：向工艺腔室内通入硅烷，所述硅烷在所述第三温度下分解，以在所述非晶硅层上形成所述多晶硅层，其中，所述硅烷的流量范围为1500sccm至2000sccm，所述第三温度的范围为580℃至585℃，所述工艺腔室内压力的范围为220mtorr至240mtorr，工艺时间为3000s至5000s。
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