中国工程物理研究院激光聚变研究中心侯晶获国家专利权
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龙图腾网获悉中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利单晶硅反射镜的制备方法及制备装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118664441B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410854931.1，技术领域涉及：B24B13/00；该发明授权单晶硅反射镜的制备方法及制备装置是由侯晶;李洁;钟波;李海波;韦前才;邓文辉设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅反射镜的制备方法及制备装置在说明书摘要公布了：本申请公开了单晶硅反射镜的制备方法及制备装置。该方法包括：提供待制备单晶硅反射镜；基于磁流变抛光技术对待制备单晶硅反射镜进行第一类型抛光；基于磁流变抛光技术对完成第一类型抛光的待制备单晶硅反射镜进行第二类型抛光，得到符合要求的单晶硅反射镜；其中，第一类型抛光对应的抛光液的粒度大于第二类型抛光对应的抛光液的粒度。通过上述方式，不仅能够满足单晶硅反射镜的精度要求，还在提高抛光效率的同时大幅降低生产成本。
本发明授权单晶硅反射镜的制备方法及制备装置在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅X射线反射镜的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供待制备单晶硅X射线反射镜； 基于磁流变抛光技术对所述待制备单晶硅X射线反射镜进行第一类型抛光； 基于所述磁流变抛光技术对完成第一类型抛光的所述待制备单晶硅X射线反射镜进行第二类型抛光；所述第一类型抛光和所述第二类型抛光对应的抛光工艺参数相同；所述抛光工艺参数包括浸入深度、转速和或水分含量； 对完成第二类型抛光的所述待制备单晶硅X射线反射镜进行表面残差均方根、波前梯度、粗糙度和截面曲线一致性检测；其中，表面残差均方根的要求为小于10nm、波前梯度的要求为0.5urad、粗糙度的要求为小于0.5nm和截面曲线一致性的要求为小于4％； 根据质量检测结果得到符合要求的单晶硅X射线反射镜；其中，所述第一类型抛光对应的抛光液的粒度大于所述第二类型抛光对应的抛光液的粒度。
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