福建省晋华集成电路有限公司陈炫彤获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118737834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410831318.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制备方法是由陈炫彤;蔡建成;周阳;何祥龙设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成源极结构；形成多个材料柱，多个材料柱至少部分位于源极结构上；依次形成通道层和栅极介质层覆盖材料柱；形成牺牲层填充于每相邻两个材料柱之间；刻蚀去除相邻两个或部分相邻两个材料柱之间的部分牺牲层形成若干第一开口；形成第一隔离材料层填充第一开口；刻蚀去除保留的牺牲层形成若干第二开口；形成栅极结构填充第二开口，第一方向位于相邻两个材料柱之间的部分栅极结构作为栅极子结构；形成漏极结构位于栅极结构的上方，且漏极结构与通道层接触；本发明能够提高器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成源极结构，所述源极结构沿第一方向延伸； 形成多个材料柱，多个所述材料柱至少部分位于所述源极结构上； 依次形成通道层和栅极介质层覆盖所述材料柱，且所述栅极介质层环绕所述材料柱设置； 形成牺牲层填充于每相邻两个所述材料柱之间； 刻蚀去除相邻两个或部分相邻两个所述材料柱之间的部分所述牺牲层形成若干第一开口，所述第一开口的底部暴露出所述源极结构，且所述第一开口的侧壁具有保留的所述牺牲层； 形成第一隔离材料层填充所述第一开口； 刻蚀去除保留的所述牺牲层形成若干第二开口，所述第二开口暴露出所述栅极介质层； 形成栅极结构填充所述第二开口，所述栅极结构与所述源极结构之间具有所述通道层和所述栅极介质层，沿所述第一方向位于相邻两个所述材料柱之间的部分所述栅极结构作为栅极子结构；以及， 形成漏极结构位于栅极结构的上方，且所述漏极结构与所述通道层接触。
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