北京北方华创微电子装备有限公司刘思东获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利衬底加工方法、LED芯片衬底和LED产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738244B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310339703.6，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权衬底加工方法、LED芯片衬底和LED产品是由刘思东设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底加工方法、LED芯片衬底和LED产品在说明书摘要公布了：本申请公开一种衬底加工方法、LED芯片衬底和LED产品，衬底加工方法包括：掩膜制作步骤；主刻蚀步骤；过刻蚀步骤；在单次完成主刻蚀步骤之后，至少执行一次副产物去除步骤，和或，在单次完成过刻蚀步骤之后，至少执行一次副产物去除步骤；其中，副产物去除步骤包括在工艺腔室保持第二工艺条件的情况下，轰击待刻蚀件的表面的刻蚀副产物，第二工艺条件中的第二工艺气体为惰性气体。采用该衬底加工方法可以加工形成表面较为平坦的衬底。
本发明授权衬底加工方法、LED芯片衬底和LED产品在权利要求书中公布了：1.一种衬底加工方法，其特征在于，所述衬底加工方法包括： 掩膜制作步骤，在衬底的上表面覆盖图案化掩膜层，形成待刻蚀件；其中，所述衬底为蓝宝石衬底，所述图案化掩膜层包括多个相互间隔，且呈行列式分布的圆柱状掩膜结构； 主刻蚀步骤，在工艺腔室保持第一工艺条件的情况下，刻蚀所述待刻蚀件，以形成中间件，所述第一工艺条件中的第一工艺气体包括氯化硼； 过刻蚀步骤，在所述工艺腔室保持第三工艺条件的情况下，刻蚀所述中间件，以形成图案化衬底，所述图案化衬底包括多个相互间隔，且呈行列式分布的圆锥状结构刻蚀图案，所述第三工艺条件中的第三工艺气体包括氯化硼； 在单次完成所述主刻蚀步骤之后，至少执行一次副产物去除步骤，和或，在单次完成所述过刻蚀步骤之后，至少执行一次副产物去除步骤；其中，所述副产物去除步骤包括：在所述工艺腔室保持第二工艺条件的情况下，轰击所述待刻蚀件的表面的刻蚀副产物，所述第二工艺条件中的第二工艺气体为惰性气体。
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