西安电子科技大学李娜获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种面向于缝隙天线阵列的宽带化超表面天线罩获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118763403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410975752.3，技术领域涉及：H01Q1/42；该发明授权一种面向于缝隙天线阵列的宽带化超表面天线罩是由李娜;张静柯;郑彬;曲世豪;单玉玉;吴珂皓设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种面向于缝隙天线阵列的宽带化超表面天线罩在说明书摘要公布了：本发明涉及天线技术领域，具体涉及一种面向于缝隙天线阵列的宽带化超表面天线罩。包括相连的缝隙阵列天线与超表面；所述超表面包括由上至下依次设置第二天线罩、第一天线罩以及编码超表面。本发明通过加载缝隙的方式将编码超表面、天线罩与缝隙天线阵列有机结合，将编码超表面与天线罩结合的方式，一方面弥补了编码超表面带宽窄的缺点，另一方面弥补了天线罩通带无RCS缩减功能的缺点，拓宽了整体的天RCS缩减带宽。
本发明授权一种面向于缝隙天线阵列的宽带化超表面天线罩在权利要求书中公布了：1.一种面向于缝隙天线阵列的宽带化超表面天线罩，其特征在于，包括相连的缝隙阵列天线与超表面；所述超表面包括由上至下依次设置第二天线罩、第一天线罩以及编码超表面； 所述缝隙阵列天线包括第一介质层，第一介质层上表面设有辐射缝隙，第一介质层下表面上设有四个馈电缝隙； 所述编码超表面包括结构相同，尺寸不同的两种编码单元；所述编码超表面上开设有与所述馈电缝隙大小相同的缝隙，通过加载缝隙的方式将编码超表面与缝隙阵列天线结合； 所述编码单元包括与第一介质层大小相同的第二介质层，所述第二介质层表面设有第一X型金属结构以及第二X型金属结构，所述第一X型金属结构设于第二介质层中心，第一X型金属结构的中部和端部设有矩形片，所述第二X型金属结构套设于第一X型金属结构外侧； 所述第一天线罩包括基层以及设于基层上的缝隙耶路撒冷十字单元； 所述第二天线罩包括底层以及设于底层表面中心设有的复合型十字单元，其中复合型十字单元端部均连接有电阻器。
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