厦门乾照光电股份有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种微型发光二极管外延片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410863676.7，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种微型发光二极管外延片及其制作方法是由刘伟;邬新根;王恩泽;王锐;段方方设计研发完成，并于2024-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微型发光二极管外延片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种微型发光二极管外延片及其制作方法，本申请提供的微型发光二极管外延片的制作方法，生长复合透明导电膜包括：在反应腔室内，采用射频结合直流的溅射方式在第二型半导体层的表面依次制备低阻欧姆接触层、缓冲层、电流传导层以及功能层，可提高复合透明导电膜的致密性及复合透明导电膜与第二型半导体层的欧姆接触，进而提高复合透明导电膜的ESD能力；结合低阻欧姆接触层、缓冲层、电流传导层以及功能层以实现制备低电阻率、高透过率和高稳定性的复合透明导电膜的目的。
本发明授权一种微型发光二极管外延片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上依次生长外延结构及复合透明导电膜，所述外延结构包括沿生长方向依次层叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层； 其中，生长所述复合透明导电膜包括：在反应腔室内，采用射频结合直流的溅射方式在所述第二型半导体层的表面依次制备低阻欧姆接触层、缓冲层、电流传导层以及功能层，且所述电流传导层为周期性结构，每个周期均包括沿生长方向依次层叠的第一透明导电层、纳米金属层和第二透明导电层； 所述电流传导层中的每个周期的所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间具有粗化界面，所述纳米金属层为不连续的薄膜并扩散至所述粗化界面的凹槽，所述纳米金属层被所述第一透明导电层和所述第二透明导电层所包覆； 其中，所述纳米金属层由金属材料层经高温退火再结晶所形成，使纳米金属层增加40%以上的表面能，所述金属材料层的总厚度取值范围为0nm-5nm，不包括端点值。
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