泉州三安半导体科技有限公司林素慧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利发光二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118867077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410430424.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权发光二极管及其制作方法是由林素慧;洪灵愿;许圣贤;陈思河;陈大钟;陈功;张家宏;彭康伟设计研发完成，并于2017-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；透明导电层，形成于所述发光外延层的第一半导体层的表面之上，并在所述焊盘区形成第一开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述第一电极区的焊盘区和扩展区分别形成第二开口和第三开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面及位于所述扩展区的透明导电层表面；第一电极，形成于所述保护层上，并通过所述第一、第二开口，直接与所述焊盘区的第一半导体层接触。
本发明授权发光二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.发光二极管，包括： 发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，该第一电极区包含焊盘区； 透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并在所述焊盘区形成第一开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面； 保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述第一电极区的焊盘区形成第二开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面及位于所述焊盘区的透明导电层表面，所述保护层具有位于该第一开口内的块状结构，该块状结构位于所述第一开口内并与所述透明导电层具有间隙； 第一电极，形成于所述保护层上，并通过所述间隙与所述焊盘区的第一半导体层接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泉州三安半导体科技有限公司，其通讯地址为：362343 福建省泉州市南安市石井镇院前村；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励