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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利微型光电子芯片及其制造方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118867093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310462826.9，技术领域涉及：H10H20/855；该发明授权微型光电子芯片及其制造方法与应用是由张晓东;夏先海;查强;曾中明;张宝顺设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型光电子芯片及其制造方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微型光电子芯片及其制造方法与应用。所述微型光电子芯片包括：半导体结构层，包括依次层叠在衬底上的第一掺杂半导体层、有源层和第二掺杂半导体层；分布在半导体结构层内的离子注入区，用于在半导体结构层内电学隔离出阵列排布的多个光电子芯片结构；隔离槽，开设在相应离子注入区内，并至少用于将任意两个相邻光电子芯片结构的第二掺杂半导体层相互隔离；挡光结构，设置在隔离槽内，至少用于阻止光通过第二掺杂半导体层在任意两个相邻光电子芯片结构之间传输。本发明可以有效消除微型光电子芯片阵列内的光串扰问题，使其具有优良的光电转换效率和显示效果。

本发明授权微型光电子芯片及其制造方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种微型光电子芯片，其特征在于，包括： 衬底； 设置在所述衬底上的半导体结构层，所述半导体结构层包括依次层叠在所述衬底上的第一掺杂半导体层、有源层和第二掺杂半导体层； 分布在所述半导体结构层内的离子注入区，所述离子注入区至少自所述第二掺杂半导体层的顶端面连续延伸至所述有源层的顶端面，用于在所述半导体结构层内电学隔离出阵列排布的多个光电子芯片结构； 开设在所述离子注入区内的隔离槽，所述隔离槽至少用于将任意两个相邻光电子芯片结构的第二掺杂半导体层相互隔离，所述隔离槽整体位于相应离子注入区内，同时所述隔离槽的内壁与相应离子注入区的外壁之间存在间距，所述隔离槽的槽底面高于相应离子注入区的底端面且与所述第二掺杂半导体层的底端面平齐或者低于所述第二掺杂半导体层的底端面，所述第二掺杂半导体层的顶端面为第二掺杂半导体层远离衬底的一侧表面； 至少连续覆盖所述隔离槽侧壁的多个介质层，多个所述介质层具有不同折射率，并依次层叠在所述隔离槽的侧壁上，且与相应离子注入区组合形成分布式布拉格反射镜结构； 设置在所述隔离槽内的挡光结构，所述挡光结构至少用于阻止光通过所述第二掺杂半导体层在任意两个相邻光电子芯片结构之间传输，所述挡光结构包括至少连续覆盖在所述介质层上的金属光隔离层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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