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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310420143.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由刘翔设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：半导体结构制备方法包括：形成初始结构，包括多个主半导体柱，主半导体柱包括第一子半导体柱及第二子半导体柱，相邻两个主半导体柱之间设置有第一隔离层，在第一子半导体柱与第二子半导体柱之间设置有第二隔离层，在第一子半导体柱及第二子半导体柱上设置有第一牺牲图形，且第一牺牲图形位于第一隔离层与第二隔离层之间；刻蚀第一牺牲图形，以暴露出第一子半导体柱及第二子半导体柱，刻蚀物质对第一牺牲图形的刻蚀速率大于对第一隔离层及第二隔离层的刻蚀速率；形成导电接触层；图案化导电接触层，用以形成多个导电接触结构，导电接触结构与第一子半导体柱或者第二子半导体柱接触；在导电接触结构之间的空隙中填充隔离材料，用以形成第三隔离层。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 在衬底上形成初始结构，所述初始结构包括沿第一方向及第二方向阵列排布的多个主半导体柱，且所述主半导体柱沿第三方向延伸，每一所述主半导体柱包括沿所述第一方向间隔设置的第一子半导体柱及第二子半导体柱，在所述第一方向上相邻的两个所述主半导体柱之间设置有第一隔离层，在所述第一子半导体柱与所述第二子半导体柱之间设置有第二隔离层，且所述第一隔离层及所述第二隔离层均沿所述第二方向延伸，在所述第三方向上，所述第一隔离层及所述第二隔离层均突出于所述第一子半导体柱及所述第二子半导体柱，在所述第三方向上在所述第一子半导体柱及所述第二子半导体柱上设置有第一牺牲图形，且在所述第一方向上所述第一牺牲图形位于所述第一隔离层与所述第二隔离层之间； 刻蚀所述第一牺牲图形，以暴露出所述第一子半导体柱及所述第二子半导体柱，其中，刻蚀物质对所述第一牺牲图形的刻蚀速率大于对所述第一隔离层及所述第二隔离层的刻蚀速率； 形成导电接触层，所述导电接触层填充在所述第一隔离层与所述第二隔离层之间，且覆盖所述第一子半导体柱与所述第二子半导体柱，所述导电接触层沿所述第二方向延伸；图案化所述导电接触层，用以形成多个彼此独立的导电接触结构，所述导电接触结构与所述第一子半导体柱或者所述第二子半导体柱接触； 在所述导电接触结构之间的空隙中填充隔离材料，用以形成第三隔离层。

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