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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888590B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410965819.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由高远;李倩;刘红超设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：外延层远离衬底结构的一侧设置有第一阱区和有源区；有源区至少包括第一掺杂类型有源区，第一掺杂类型有源区内嵌于第一阱区远离衬底结构的一侧；第一阱区设置有沟槽，沟槽位于第一掺杂类型有源区的一侧，沟槽由第一阱区远离衬底结构的表面延伸至第一阱区内；至少一个栅极结构位于沟槽内；至少一个第二阱区位于沟槽内；每一第二阱区位于一个栅极结构远离衬底结构的一侧，第二阱区与栅极结构接触；源极位于外延层远离衬底结构的一侧，源极和有源区接触；漏极位于衬底结构远离外延层的一侧。本发明可以降低器件的导通电阻，提高器件的可靠性。

本发明授权功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括： 衬底结构； 外延层，所述外延层位于所述衬底结构的一侧，所述外延层与所述衬底结构的掺杂类型相同；所述外延层远离所述衬底结构的一侧设置有第一阱区和有源区；所述有源区至少包括第一掺杂类型有源区，所述第一掺杂类型有源区和所述衬底结构的掺杂类型相同；所述第一掺杂类型有源区内嵌于所述第一阱区远离所述衬底结构的一侧；所述第一阱区设置有沟槽，所述沟槽位于所述第一掺杂类型有源区的一侧，所述沟槽由第一阱区远离所述衬底结构的表面延伸至所述第一阱区内； 至少一个栅极结构，所述至少一个栅极结构位于所述沟槽内；所述第一掺杂类型有源区指向所述栅极结构的方向垂直于所述衬底结构指向所述外延层的方向； 至少一个第二阱区，所述至少一个第二阱区位于所述沟槽内；每一所述第二阱区位于一个所述栅极结构远离所述衬底结构的一侧，所述第二阱区与所述栅极结构接触；所述第一掺杂类型有源区指向所述第二阱区的方向垂直于所述衬底结构指向所述外延层的方向；所述第一阱区和所述第二阱区为第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型不同； 源极，所述源极位于所述外延层远离所述衬底结构的一侧，所述源极和所述有源区接触； 漏极，所述漏极位于所述衬底结构远离所述外延层的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞先进半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼546室(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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