大连理工大学曹暾获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种基于透明金属氧化物薄膜电场效应的折射率调控结构及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119024581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411275527.5，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权一种基于透明金属氧化物薄膜电场效应的折射率调控结构及其应用是由曹暾;任浩楠;庞景哲;陈燃设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于透明金属氧化物薄膜电场效应的折射率调控结构及其应用在说明书摘要公布了：一种基于透明金属氧化物薄膜电场效应的折射率调控结构及其应用，属于集成光子器件、光通信、光互联领域。折射率调控结构包括基底层和设置于基底层上的TCO薄膜层，在TCO薄膜层两侧设置导体层，导体层与TCO薄膜层通过扩散隔离层接触形成电阻性结构，为导体‑TCO‑导体的连接结构；两个导体层之间的TCO薄膜层为折射率调控区域。该折射率调控结构用于构建高速光波导调制器、高速空间光调制器。本发明利用TCO薄膜的电场效应，实现高效、快速的光学常数实部与虚部的调制；TCO薄膜具有优异的调制性能，利用电场效应实现大幅度的光学常数实部与虚部调制，通过低电压驱动实现连续高速的电场调制，同时器件长度短体积小，作为电光开关应用于大规模高速的集成光子器件。
本发明授权一种基于透明金属氧化物薄膜电场效应的折射率调控结构及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于透明金属氧化物薄膜电场效应的折射率调控结构，其特征在于，所述的折射率调控结构包括基底层和设置于所述基底层上的TCO薄膜层，所述TCO薄膜层为透明金属氧化物薄膜层，并在TCO薄膜层上设置有导体层，调制结构分布为导体-TCO-导体的连接结构；所述导体层分布在TCO薄膜层两侧，导体层的结构是由金属类材料制备的导电薄膜以及钛与氮化钛组成的扩散隔离层构成，两个导体层之间的TCO薄膜层为折射率调控区域。
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