长鑫存储技术有限公司高上获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310562708.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制作方法是由高上设计研发完成，并于2023-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法，制作方法包括：提供衬底，衬底的表面具有堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠设置的第一介质层、第一导电层和第二介质层，堆叠结构内具有贯穿堆叠结构厚度的多个凹槽，凹槽延伸至衬底内，凹槽用于定义位线接触区；形成种子导电层，种子导电层至少覆盖凹槽的侧面，并与第一导电层电接触；形成第二导电层，第二导电层覆盖种子导电层且填满凹槽。可以降低第二导电层存在空隙的概率和电阻，提高半导体结构的整体性能。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底的表面具有堆叠结构，所述堆叠结构包括依次层叠设置的第一介质层、第一导电层和第二介质层，所述堆叠结构内具有贯穿所述堆叠结构厚度的多个凹槽，所述凹槽延伸至所述衬底内，所述凹槽用于定义位线接触区； 采用原子层沉积工艺形成种子导电层，所述种子导电层的厚度为1nm至3nm，所述种子导电层的材料为本征半导体材料，所述种子导电层至少覆盖所述凹槽的侧面，并与所述第一导电层电接触； 向所述凹槽内通入第一掺杂源气体，所述第一掺杂源气体内具有用于降低所述种子导电层的电阻率的第一掺杂离子； 形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述种子导电层且填满所述凹槽。
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