买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江大学申请的专利具有状态反馈的中压碳化硅模块有源栅极驱动器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119030294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411189011.9，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权具有状态反馈的中压碳化硅模块有源栅极驱动器是由胡斯登;吴旭;李孟好;任杰设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有状态反馈的中压碳化硅模块有源栅极驱动器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有状态反馈的中压碳化硅模块有源栅极驱动器，该有源栅极驱动器是基于高速数字处理器搭建具有切换功能的SiCMOSFET栅极电容充电回路，通过改变SiCMOSFET栅极电容充电回路的电阻大小，在开关暂态间接改变SiCMOSFET模块功率回路的电流变化率和电压变化率，用于缓解开关应力和损耗之间的矛盾性，实现SiCMOSFET模块开关性能的全局最优化；同时SiCMOSFET栅极电容充电回路的切换时刻根据SiCMOSFET模块的状态反馈确定，从而适应不同工况；本发明能够有效地平衡开关应力与损耗之间矛盾，实现SiCMOSFET开关性能的全局最优化。

本发明授权具有状态反馈的中压碳化硅模块有源栅极驱动器在权利要求书中公布了：1.具有状态反馈的中压碳化硅模块有源栅极驱动器，其特征在于：该有源栅极驱动器是基于高速数字处理器搭建具有切换功能的SiCMOSFET栅极电容充电回路，通过改变SiCMOSFET栅极电容充电回路的电阻大小，在开关暂态间接改变SiCMOSFET模块功率回路的电流变化率和电压变化率，用于缓解开关应力和损耗之间的矛盾性，实现SiCMOSFET模块开关性能的全局最优化；同时SiCMOSFET栅极电容充电回路的切换时刻根据SiCMOSFET模块的状态反馈确定，从而适应不同工况；所述SiCMOSFET栅极电容充电回路包括高速数字处理器、电平转换电路和电阻推挽电路；所述高速数字处理器的输出端与电平转换电路的输入端连接，电平转换电路的输出端连接电阻推挽电路，电阻推挽电路连接SiCMOSFET模块；所述SiCMOSFET模块的漏极和源极上连接有关断暂态电压反馈电路，SiCMOSFET模块的功率源极和辅助源极上连接有开通暂态电压反馈电路；所述高速数字处理器用于获取关断暂态电压反馈电路和开通暂态电压反馈电路的状态反馈并输出对应信号；所述电平转换电路包括电平转化器、电平转化器、电平转化器和电平转化器；所述电阻推挽电路包括电阻、电阻、电阻、电阻、PMOS管、PMOS管、NMOS管和NMOS管；所述高速数字处理器的输出端连接电平转化器、电平转化器、电平转化器和电平转化器的输入端；所述电平转化器的输出端连接PMOS管的栅极，PMOS管的源极连接PMOS管的源极，PMOS管的漏极连接电阻的一端，电阻的另一端连接电阻的一端和SiCMOSFET模块的栅极，电阻的另一端连接PMOS管的漏极，PMOS管的栅极连接电平转化器的输出端；所述电平转化器的输出端连接NMOS管的栅极，NMOS管的源极连接NMOS管的源极，NMOS管的漏极连接电阻的一端，电阻的另一端连接电阻的一端和SiCMOSFET模块的栅极，电阻的另一端连接NMOS管的漏极，NMOS管的栅极连接电平转化器的输出端；所述关断暂态中关断暂态电压反馈电路利用电阻分压原理将SiCMOSFET模块漏源极电压UDS按比例缩小为，并将缩小后的漏源极电压与所设定的阈值电压经比较运算放大器处理，若，比较运算放大器保持高电平状态，若，比较运算放大器保持低电平状态；高速数字处理器监测比较运算放大器的输出状态，在高电平和低电平时分别控制电平转化器或电平转化器输出，进而导通PMOS管或PMOS管，实现电阻或电阻的切入；所述开通暂态中开通暂态电压反馈电路根据电感电压公式，当SiCMOSFET模块开始导通时，功率回路中的电流变化率在功率源极和辅助源极之间的电感上感应出电压，将与所设定的阈值电压经比较运算放大器处理，若，比较运算放大器保持高电平状态，若，比较运算放大器保持低电平状态；高速数字处理器监测比较运算放大器的输出状态，在高电平和低电平时分别控制电平转化器或电平转化器输出，进而导通NMOS管或NMOS管，实现电阻或电阻的切入。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号浙江大学玉泉校区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。