厦门钨业股份有限公司;领晶(厦门)光电科技有限公司郑燕青获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门钨业股份有限公司;领晶(厦门)光电科技有限公司申请的专利晶体生长方法及晶体生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119121382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411285989.5，技术领域涉及：C30B17/00；该发明授权晶体生长方法及晶体生长装置是由郑燕青;齐凡;孔舒燕;陈志平;赵衡煜设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体生长方法及晶体生长装置在说明书摘要公布了：本发明属于多组分晶体制备技术领域，公开了晶体生长方法及晶体生长装置，使用纯熔体泡生法生长多组分晶体，多组分晶体为二元及以上氧化物。晶体生长装置包括炉膛、承载座、坩埚、籽晶杆、出气管、进气管以及三组环形的加热组件，炉膛包括炉体和炉盖，炉盖密封炉体的顶部开口，炉体的内部设有由保温材料围成的加热区；承载座和坩埚均设置于加热区；籽晶杆延伸至坩埚内；三组环形的加热组件设置于加热区的内壁，三组加热组件分别为自上而下间隔设置的上加热组件、中加热组件和下加热组件，坩埚位于中加热组件所围绕的中温区。本发明能够避免多晶现象和内部缺陷，生长出更大尺寸高质量的多组分晶体，降低生产制造成本。
本发明授权晶体生长方法及晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长方法，其特征在于，使用纯熔体泡生法生长多组分晶体，所述多组分晶体为二元及以上氧化物； 所述晶体生长在加热区13内进行；所述加热区13内沿竖直方向间隔设置有独立控温的低温区13a、中温区13b和高温区13c,所述低温区13a的温度低于所述中温区13b的温度，所述中温区13b的温度低于所述高温区13c的温度，盛放原料的坩埚3位于所述中温区13b内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门钨业股份有限公司;领晶(厦门)光电科技有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市湖里区安岭路1005号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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