淮安捷泰新能源科技有限公司张光振获国家专利权
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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411171292.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺是由张光振设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明具体公开了一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及其制备工艺，选择性发射极制备方法包括：对硅片进行制绒，对制绒后的硅片进行氧化，在硅片的表面形成氧化层；在氧化后的硅片上进行硼扩散，扩散温度不高于900℃；在硼扩散后的硅片上的金属栅线区域进行激光掺杂推进，使得激光区域重掺杂，非激光区轻掺杂；对激光掺杂后的硅片进行氧化修复及清洗。本发明通过先对制绒后的硅片进行氧化生层，再进行硼扩散工艺，最后通过激光掺杂推进，省去了硼扩散的高温推进工艺，简化工艺流程，节省了生产成本，降低了高温对硅基体质量的影响，降低了制程不良率，有效解决了非激光区域优化不足的问题，增加了电池的转化效率。
本发明授权选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池及制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 1对硅片进行制绒，对制绒后的硅片进行氧化，在硅片的表面形成氧化层； 2在氧化后的硅片上进行硼扩散，扩散温度不高于900℃； 3在硼扩散后的硅片上的金属栅线区域进行激光掺杂推进，使得激光区域重掺杂，非激光区轻掺杂； 4对激光掺杂后的硅片进行氧化修复及清洗； 所述步骤1中氧化的温度为800~1000℃，氧化层的厚度为10~20nm； 所述步骤2中只进行沉积扩散步，无高温推进步骤。
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