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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种单片原位集成发光与自驱动探测装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411100172.6，技术领域涉及：H10F55/255；该发明授权一种单片原位集成发光与自驱动探测装置及其制作方法是由田康凯;何淙霖;王龙宇;楚春双;张紫辉设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片原位集成发光与自驱动探测装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种单片原位集成发光与自驱动探测装置及其制作方法，包括沿着外延生长方向依次相连的自驱动紫外探测器和紫外LED；所述的自驱动紫外探测器为AlxGa1‑xNAlyGa1‑yN异质结结构。本发明不仅可以与LED原位集成、简化制程，而且充分利用III‑V族氮化物固有属性极化效应实现自驱动探测，不仅可以拓宽探测波长区间，而且能够完全避免传统片上光芯片中斯托克斯位移问题，提高片上系统的探测能力；本发明由此解决了现有技术光暗电流比低、通信效率差的问题，且具有能够避免斯托克斯位移问题的特点。

本发明授权一种单片原位集成发光与自驱动探测装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种单片原位集成发光与自驱动探测装置，其特征在于：包括沿着外延生长方向依次相连的自驱动紫外探测器和紫外LED；所述的自驱动紫外探测器为AlxGa1-xNAlyGa1-yN异质结结构； 所述的自驱动紫外探测器具体包括AlGa1-xN吸收层103和AlGa1-yN层104；AlGa1-N层104上设有第1欧姆电极111，AlGa1-xN吸收层103上设有第2欧姆电极112； AlGa1-xN吸收层103中，各组分系数为0≤x≤1，0≤1-x≤1，其厚度为5nm～5μm；AlGa1-yN层104中，各组分系数为0≤y≤1，0≤1-y≤1，其厚度为5nm～5μm，其中xy； 所述的紫外LED包括N-型半导体传输层105、多量子阱层106、P-型电子阻挡层107、P-型半导体传输层108、绝缘层109；所述N-型半导体传输层105的材料为Alx2Iny2Ga1-x2-y2N，其中，各组分系数为0≤x2≤1，0≤y2≤1，0≤1-x2-y2≤1；所述多量子阱层106的结构为Alx3Iny3Ga1-x3-y3NAlx4Iny4Ga1-x4-y4N，其中，各组分系数为0≤x3≤1，0≤y3≤1，0≤1-x3-y3≤1，0≤x4≤1，0≤y4≤1，0≤1-x4-y4≤1；所述P-型电子阻挡层107的材质为Alx5Iny5Ga1-x5-y5N，其中，各组分系数为0≤x5≤1，0≤y5≤1，0≤1-x5-y5≤1；所述P-型半导体传输层108的材质为Alx6Iny6Ga1-x6-y6N，各组分为0≤x6≤1，0≤y6≤1，0≤1-x6-y6≤1；N-型半导体传输层105上设有P型欧姆电极113，P-型半导体传输层108上设有N型欧姆电极114。

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