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龙图腾网获悉江苏宜兴德融科技有限公司申请的专利一种Micro LED芯片结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411177673.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种Micro LED芯片结构及其制造方法是由陈亮;王伟明;李华设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro LED芯片结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MicroLED芯片结构及其制造方法，首先在第一基板上生长LED外延片结构；在外延片结构上制作图案化欧姆接触层和第一电极层；将第二基板通过粘合剂临时键合至外延片结构的所述第一电极层侧；移除第一基板；采用与图案化第一电极层双面对准的方式在远离第二基板的一侧外延片结构上制作图案化的第二电极层。在上述过程中在制备第一电极或者第二电极后采用蚀刻方法分割外延层使得MicroLED芯片以阵列形式位于第一基板或者第二基板上。最后通过激光解除粘合剂的粘合作用，将MicroLED芯片从第二基板剥离，获得薄膜型MicroLED芯片。本发明采用粘合剂键合与双面对准光刻方法制备薄膜型MicroLED芯片，制作工艺简易，薄膜型芯片结构可靠性高。

本发明授权一种Micro LED芯片结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种microLED芯片的制作方法，具体包括： S1，在第一基板上生长外延片结构；外延片结构包括依次生长缓冲层、阻挡层牺牲层、n欧姆接触层、n型限制层、MQW有源层、p型限制层和p型欧姆接触窗口层； S2，在外延片结构背离第一基板方向上制作图案化的p欧姆接触层以及第一电极层，第一电极层位于p欧姆接触层上； S3，垂直分割外延片结构，使得若干MicroLED芯片以阵列形式位于第一基板上，垂直分割外延片至阻挡层牺牲层、缓冲层、第一基板的上表面，且垂直分割外延片结构后，制作第一钝化保护层于所述MicroLED芯片侧壁以及上表面，露出需要电连接的第一电极部分； S4，将第二基板临时键合至外延片结构的所述第一电极层侧，其中临时键合为粘合剂键合； S5，以第二基板为临时支撑衬底，腐蚀所述缓冲层以及所述阻挡层牺牲层，实现第一基板剥离，若干MicroLED芯片以阵列形式位于第二基板上； S6，以第二基板为临时支撑，在外延结构背离第二基板方向上制作图案化的第二电极层，再垂直分割microLED之间的粘合剂层； S7，采用激光作用于粘合剂层，将芯片从第二基板剥离，制作microLED芯片。

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