京东方华灿光电(苏州)有限公司姚振获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利改善应力的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411099781.4，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权改善应力的发光二极管及其制备方法是由姚振;从颖;张毓;蔡和勋设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善应力的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种改善应力的发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上依次形成缓冲层和填平层；交替进行多个降温生长阶段和多个升温生长阶段，以在填平层上形成第一插入层，其中，在降温生长阶段，在第一温度下形成第一子层，第一温度小于填平层的生长温度；在升温生长阶段，在第二温度下形成第二子层，第二温度大于第一温度；在第一插入层上依次形成第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二温度小于第一半导体层的生长温度。本公开实施例能提高载流子的辐射复合效率，提高LED的发光效率。
本发明授权改善应力的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底10上依次形成缓冲层20和填平层30； 交替进行多个降温生长阶段和多个升温生长阶段，以在所述填平层30上形成第一插入层，其中，在所述降温生长阶段，在第一温度下形成第一子层41，所述第一温度小于所述填平层30的生长温度；在所述升温生长阶段，在第二温度下形成第二子层42，所述第二温度大于所述第一温度； 在所述第一插入层40上依次形成第一半导体层50、发光层60和第二半导体层70，所述第二温度小于所述第一半导体层50的生长温度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(苏州)有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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