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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种刻蚀托盘和刻蚀夹具获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119275078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411370249.1，技术领域涉及：H01J37/20；该发明授权一种刻蚀托盘和刻蚀夹具是由罗凯;王子荣;康凯;王农华设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种刻蚀托盘和刻蚀夹具在说明书摘要公布了：本发明公开了一种刻蚀托盘和刻蚀夹具。刻蚀托盘包括支撑板和位于支撑板一侧的多个凸台，晶片装载至凸台背离支撑板的一侧；支撑板与凸台之间通过连接件固定，至少部分凸台与支撑板之间存在第一间隙；多个凸台包括第一凸台和第二凸台，在支撑板所在平面的延伸方向上，第一凸台与支撑板中心的距离和第二凸台与支撑板中心的距离不同；在支撑板厚度方向，第一凸台朝向支撑板的一侧表面与支撑板之间具有第一间距，第二凸台朝向支撑板的一侧表面与支撑板之间具有第二间距，第一间距和第二间距不同。通过上述方案，可提升刻蚀托盘的使用寿命，保证刻蚀工艺制程稳定性，降低制造成本；另外还可实现不同区域晶片刻蚀效率的调整，提升刻蚀一致性。

本发明授权一种刻蚀托盘和刻蚀夹具在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀托盘，其特征在于，用于承载晶片；所述刻蚀托盘包括支撑板和位于所述支撑板一侧的多个凸台，所述晶片装载至所述凸台背离所述支撑板的一侧；所述支撑板与所述凸台之间通过连接件固定，至少部分所述凸台与所述支撑板之间存在第一间隙； 多个所述凸台包括第一凸台和第二凸台，在所述支撑板所在平面的延伸方向上，所述第一凸台与支撑板中心的距离和所述第二凸台与所述支撑板中心的距离不同；在支撑板厚度方向，所述第一凸台朝向所述支撑板的一侧表面与所述支撑板之间具有第一间距，所述第二凸台朝向所述支撑板的一侧表面与所述支撑板之间具有第二间距，所述第一间距和所述第二间距不同； 所述凸台包括沿所述支撑板厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面位于所述第一表面和所述支撑板之间； 所述第一表面包括第一位置和第二位置，所述凸台在所述第一位置处的厚度和在所述第二位置处的厚度不同；和或， 所述第二表面包括第三位置和第四位置，所述凸台在所述第三位置处的厚度和在所述第四位置处的厚度不同； 利用所述凸台与所述晶片形成的电容调节晶片不同位置的电势，保证刻蚀能量均匀分布。

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