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龙图腾网获悉湖南工商大学申请的专利一种无片外电容的LDO芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119292396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411592289.0，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种无片外电容的LDO芯片是由周源;罗运;刘利枚;田乾磊;唐石超设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无片外电容的LDO芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路技术领域，提供了一种无片外电容的LDO芯片，该LDO芯片包括误差放大器、buffer电路、过冲欠冲抑制电路、功率管、反馈电路、前馈电路；误差放大器的正向输入端与反馈电路的反馈端相连接，误差放大器的反向输入端接第一参考电压，误差放大器的输出端与buffer电路的输入端相连接，buffer电路的输出端分别与过冲欠冲抑制电路的输入端、前馈电路的输出端、功率管的栅极相连接，功率管的源极分别与输入电源、前馈电路的输入端相连接，功率管的漏极分别与过冲欠冲抑制电路的输出端、反馈电路的输入端、LDO芯片的输出端相连接。本申请能提高无片外电容的LDO芯片的性能。

本发明授权一种无片外电容的LDO芯片在权利要求书中公布了：1.一种无片外电容的LDO芯片，其特征在于，所述LDO芯片包括误差放大器、buffer电路、过冲欠冲抑制电路、功率管、反馈电路、前馈电路； 所述误差放大器的正向输入端与所述反馈电路的反馈端相连接，所述误差放大器的反向输入端接第一参考电压，所述误差放大器的输出端与所述buffer电路的输入端相连接，所述buffer电路的输出端分别与所述过冲欠冲抑制电路的输入端、所述前馈电路的输出端、所述功率管的栅极相连接，所述功率管的源极分别与输入电源、前馈电路的输入端相连接，所述功率管的漏极分别与所述过冲欠冲抑制电路的输出端、所述反馈电路的输入端、LDO芯片的输出端相连接； 其中，所述buffer电路包括第一推挽晶体管、第二推挽晶体管、第三推挽晶体管、第四推挽晶体管、第五推挽晶体管、第六推挽晶体管、第七推挽晶体管、第八推挽晶体管、第九推挽晶体管、第十推挽晶体管； 所述第二推挽晶体管的栅极、所述第六推挽晶体管的栅极均为所述buffer电路的输入端、所述第八推挽晶体管的漏极、第九推挽晶体管的源极均为所述buffer电路的输出端； 所述第一推挽晶体管的栅极接正向控制电压，所述第一推挽晶体管的源极分别与所述第七推挽晶体管的源极、所述第五推挽晶体管的漏极、所述第八推挽晶体管的源极相连接，所述第一推挽晶体管的漏极分别与所述第二推挽晶体管的源极、所述第五推挽晶体管的栅极相连接，所述第二推挽晶体管的漏极分别与所述第三推挽晶体管的漏极、所述第三推挽晶体管的栅极、所述第四推挽晶体管的栅极相连接，所述第三推挽晶体管的源极分别与所述第十推挽晶体管的源极、所述第四推挽晶体管的源极、所述第九推挽晶体管的漏极相连接，所述第十推挽晶体管的漏极分别与所述第六推挽晶体管的源极、所述第九推挽晶体管的栅极相连接，所述第十推挽晶体管的栅极接反向控制电压，所述第四推挽晶体管的漏极分别与所述第五推挽晶体管的源极、所述第八推挽晶体管的漏极、所述第九推挽晶体管的源极相连接，所述第六推挽晶体管的漏极分别与所述第七推挽晶体管的漏极、所述第六推挽晶体管的栅极、所述第八推挽晶体管的栅极相连接。

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