电子科技大学陈飞良获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于旋涂绝缘介质的石墨烯场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411248285.0，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种基于旋涂绝缘介质的石墨烯场效应晶体管及制备方法是由陈飞良;王川;李沫;张健;汤苏涵;张宇设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于旋涂绝缘介质的石墨烯场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于旋涂绝缘介质的石墨烯场效应晶体管及制备方法，晶体管包括基底、栅电极、栅介质层、第一绝缘层、第二绝缘层、源极、漏极和石墨烯沟道层，通过旋涂绝缘介质技术在埋栅结构中的栅极两端形成与栅电极高度一致的栅介质层，保证了后续加工的平整性，通过旋涂绝缘介质技术并刻蚀形成与源漏电极高度一致的绝缘介质层，石墨烯薄膜在转移至已加工完成的衬底上时所受的应力会大大降低，从而减小石墨烯薄膜所受的损伤，绝缘层上纳米尺寸的凹槽减少了石墨烯与衬底接触面积，从而减少了衬底散射的影响，提升石墨烯的载流子迁移率，从而提高器件性能。
本发明授权一种基于旋涂绝缘介质的石墨烯场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于旋涂绝缘介质技术的石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底，在所述基底上形成栅电极； 在所述基底以及栅电极上形成绝缘层，通过刻蚀掉高于栅电极的绝缘层，使绝缘层在栅电极两端上形成第一绝缘层，并与栅电极高度保持一致； 在所述第一绝缘层和栅电极上形成栅介质层； 在所述栅介质层上形成源极和漏极； 在所述栅介质层上以及所述源漏极和栅极之间形成第二绝缘层，成型后刻蚀掉高过源极、漏极高度的部分，使第二绝缘层高度与源极、漏极区域一致，并在所述第二绝缘层上刻蚀出多个纳米级的凹槽； 通过化学气相沉积生长石墨烯薄膜，然后转移到源漏电极和第二绝缘层之上，氮化硼覆盖于石墨烯上方，再通过激光直写刻蚀完成薄膜的图案化，形成石墨烯沟道层； 其中，所述第一绝缘层和第二绝缘层通过制备好的前驱体溶液后再利用表面处理、旋涂铺展、低温烘烤和高温退火的工艺制备成形，在第二绝缘层上通过聚焦离子束或者刻蚀的方式形成纳米级的凹槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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