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龙图腾网获悉深圳市化讯半导体材料有限公司申请的专利一种外延层薄膜的转移方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411452459.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种外延层薄膜的转移方法及其应用是由柳博;方上声;黄明起设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延层薄膜的转移方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延层薄膜的转移方法及其应用，所述转移方法包括依次进行的第一临时键合、第二临时键合、第一临时解键合、与目标基板键合、第二临时解键合和去除硅衬底，从而实现外延层薄膜的转移。本发明中，所述转移方法能够有效避免转移过程中激光和应力对外延层薄膜造成的损伤，提高器件的性能和使用寿命，且能够适用于不同尺寸和材料的外延层薄膜。

本发明授权一种外延层薄膜的转移方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种外延层薄膜的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括： 1在第一衬底表面涂覆厚度为2~80μm，厚度均一性≤5%的第一临时键合层的材料，在80~160℃下固化1~30min，得到所述第一临时键合层；在硅衬底表面设置外延层薄膜，以第一临时键合层和外延层薄膜为键合面，将第一衬底与硅衬底在温度为100~150℃，压强为0~2000Pa，真空度＜10Pa的条件下键合1~10min，对硅衬底进行清洁，并减薄至50~100μm，得到第一基板； 2在第二衬底表面涂覆厚度为200nm~5μm，厚度均一性≤20%的激光释放层材料，在70~150℃下保温1~10min，然后以升温速率为3~40℃min升至200~400℃，保温10~80min后，以5~20℃min的速率降至150℃以下，冷却，得到激光释放层；在所述激光释放层表面涂覆厚度为2~80μm，厚度均一性≤10%的第二粘接层材料，经多温区梯度固化，得到第二临时键合层；所述多温区梯度固化至少包括在70~150℃下保温1~10min，以升温速率为3~40℃min升至180~250℃，保温3~20min后，以5~20℃min的速率降至150℃以下；以硅衬底远离第一临时键合层的一面和第二粘接层为键合面，将步骤1得到的第一基板与第二衬底在温度为180~250℃，压强为15000~300000Pa，真空度＜10Pa的条件下键合5~20min，得到第二基板； 3将步骤2得到的第二基板进行热滑移解键合，清洗，去除第一临时键合层和第一衬底，得到第三基板； 4在目标基板表面设置胶层，以外延层薄膜与所述胶层为键合面，将步骤3得到的第三基板与目标基板键合，得到第四基板； 5将步骤4得到的第四基板在激光能量≥120mjcm2的条件下进行激光解键合，解键合的激光包括可见光和或紫外光；清洗，去除第二临时键合层和第二衬底，得到第五基板； 6将步骤5得到的第五基板通过等离子体刻蚀法和或化学腐蚀法去除硅衬底，从而实现外延层薄膜的转移。

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