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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种基于TCAD-SPICE-Geant4联合仿真的单粒子翻转截面模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119378471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411542360.4，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种基于TCAD-SPICE-Geant4联合仿真的单粒子翻转截面模拟方法是由张黎莉;周昕杰;王韬;殷亚楠设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于TCAD-SPICE-Geant4联合仿真的单粒子翻转截面模拟方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于TCAD‑SPICE‑Geant4联合仿真的单粒子翻转截面模拟方法，属于集成电路辐射效应及加固技术领域；首先通过TCAD‑SPICE联合仿真提取诱发集成电路单粒子翻转的临界电荷值；随后针对电路敏感节点处的单管器件，使用TCAD仿真单粒子入射器件不同位置时的瞬态电流脉冲曲线，提取不同位置的电荷收集权重；接着使用Geant4仿真粒子辐照器件不同位置生成的电荷量；最后计算得到电路的单粒子翻转截面。本发明模拟方法具有高可靠性，可准确预测集成电路对单粒子辐射的敏感程度，为后续的电路级抗辐射加固设计提供理论指导。

本发明授权一种基于TCAD-SPICE-Geant4联合仿真的单粒子翻转截面模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种基于TCAD-SPICE-Geant4联合仿真的单粒子翻转截面模拟方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：依据器件的工艺参数，使用TCAD软件构建器件模型； 步骤2：基于步骤1构建的器件模型，使用TCAD仿真得到其转移特性曲线，并与HSPICE仿真结果对比，通过调整模型参数进行模型校准； 步骤3：将步骤2中校准后的器件模型的栅极中心位置设置为单粒子入射点，改变入射粒子的线性能量转移LET值，使用TCAD仿真得到不同LET值单粒子辐照下器件的瞬态电流脉冲曲线； 步骤4：搭建集成电路，调用工艺库，使用HSPICE进行仿真验证电路功能； 步骤5：将步骤3中仿真得到的不同LET值对应的单粒子瞬态电流脉冲注入步骤4中电路的敏感节点处，观察输出波形变化，确定诱发输出信号发生SEU的临界LET值； 步骤6：对步骤5中临界LET值对应的单粒子瞬态电流脉冲曲线进行积分，获得诱发集成电路SEU的临界电荷值； 步骤7：设定LET值，改变单粒子入射位置，使用TCAD仿真得到单粒子入射器件不同位置时的瞬态电流脉冲曲线，计算不同位置收集的电荷量，提取器件不同位置的电荷收集权重； 步骤8：基于真实器件模型，依据电路版图设计，使用Geant4构建电路模型； 步骤9：针对步骤8中构建的电路模型，将敏感节点处的单管器件依照步骤7中选取的单粒子入射位置进行区域划分，使用Geant4仿真得到粒子辐照下器件不同区域内沉积的能量值，并将其转化为生成的电荷量； 步骤10：基于步骤6提取的诱发电路SEU的临界电荷值，与步骤7提取的器件不同位置的电荷收集权重，以及步骤9提取的器件不同位置的生成电荷量，计算得到电路的SEU截面。

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