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龙图腾网获悉中国第一汽车股份有限公司申请的专利元胞结构及其制备方法、金属氧化物半导体场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411411561.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权元胞结构及其制备方法、金属氧化物半导体场效应晶体管是由宋瑞超;张文博;赵慧超;暴杰;林翰东设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本元胞结构及其制备方法、金属氧化物半导体场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及一种元胞结构及其制备方法、金属氧化物半导体场效应晶体管。元胞结构包括：电流扩展层；两个阱区，沿第一方向，每个阱区位于电流扩展层远离外延层的一侧，沿第二方向，两个阱区被电流扩展层隔开；两个第一注入区，沿第一方向，每个第一注入区位于对应的阱区远离电流扩展层的一侧，沿第二方向，两个第一注入区被电流扩展层隔开；沟槽，包括槽底和相对的两个侧壁，槽底位于两个阱区内和两个阱区之间的电流扩展层内，每个侧壁位于对应的部分阱区内和对应的第一注入区内；栅氧化层位于沟槽内；栅极位于沟槽内的栅氧化层，栅极还被栅氧化层覆盖；该元胞结构将阱区扩大到栅极拐角处，从而减小了沟槽底角的栅氧化层的电场聚集。

本发明授权元胞结构及其制备方法、金属氧化物半导体场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种元胞结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的一侧； 电流扩展层，位于所述外延层远离所述衬底的一侧； 两个阱区，沿第一方向，每个所述阱区位于所述电流扩展层远离所述外延层的一侧，沿第二方向，两个所述阱区被所述电流扩展层隔开； 两个第一注入区，沿第一方向，每个所述第一注入区位于对应的所述阱区远离所述电流扩展层的一侧，沿第二方向，两个所述第一注入区被所述电流扩展层隔开； 两个第二注入区，沿第一方向，每个所述第二注入区位于所述电流扩展层远离所述外延层的一侧，沿第二方向，每个所述第二注入区位于对应的所述阱区和所述第一注入区远离所述电流扩展层的一侧； 沟槽，包括槽底和沿所述第二注入区指向所述第一注入区方向的相对的两个侧壁，所述槽底位于两个所述阱区内和两个所述阱区之间的所述电流扩展层内，每个所述侧壁位于对应的部分所述阱区内和对应的所述第一注入区内； 栅氧化层，位于所述沟槽内； 栅极，位于所述沟槽内的所述栅氧化层，其中所述栅极还被所述栅氧化层覆盖； 其中，第一方向为垂直于所述衬底方向，第二方向为平行于所述衬底所在平面方向； 所述电流扩展层的离子注入类型为N型； 所述阱区的离子注入类型为P型； 所述第一注入区的离子注入类型为N型，所述第二注入区的离子注入类型为P型。

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