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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种三维存储器的制造方法及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411331317.3，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权一种三维存储器的制造方法及三维存储器是由张永奎;白天宇;颜紫金;刘金彪设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维存储器的制造方法及三维存储器在说明书摘要公布了：本发明公开一种三维存储器的制造方法及三维存储器，涉及半导体制造技术领域，以解决现有技术形成单晶半导体沟道热预算较高的问题。所述三维存储器的制造方法包括：提供基底，基底包括衬底、叠层结构、半导体有源层和极间介质层；叠层结构内设有贯穿的通孔，半导体有源层填充在通孔的底部；在通孔的侧壁上形成筒状的诱导结构和半导体结构；诱导结构和半导体结构沿基底的厚度方向依次设置在半导体有源层上；在通孔内填充第二类介质隔离层；对半导体结构和诱导结构进行诱导退火使半导体结构晶化改性为单晶半导体层；经诱导退火后，诱导结构位于单晶半导体层的顶部。本发明提供的三维存储器的制造方法用于以较低的热预算形成单晶半导体沟道。

本发明授权一种三维存储器的制造方法及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、叠层结构、半导体有源层和极间介质层；所述叠层结构设置在所述衬底上；所述叠层结构包括沿所述衬底厚度方向依次层替设置的第一类介质隔离层和牺牲层；在所述叠层结构中，位于底层和顶层的膜层均为所述第一类介质隔离层；所述叠层结构内设有贯穿的通孔，所述半导体有源层填充在所述通孔的底部；所述极间介质层设置在所述半导体有源层上、且覆盖在所述通孔的侧壁表面上； 在所述通孔的侧壁上形成筒状的诱导结构和半导体结构；所述诱导结构和所述半导体结构沿基底的厚度方向依次设置在所述半导体有源层上；所述半导体结构在所述半导体有源层上的投影覆盖所述诱导结构在所述半导体有源层上的投影；所述诱导结构的材料为所述半导体有源层中的半导体和金属的化合物；所述半导体结构的材料的晶相为非单晶晶相； 在所述通孔内填充第二类介质隔离层，所述第二类介质隔离层远离所述通孔底部的一端与所述叠层结构平齐； 对所述半导体结构和所述诱导结构进行诱导退火处理，以使所述半导体结构晶化改性为单晶半导体层；经诱导退火处理后，所述诱导结构位于所述单晶半导体层的顶部。

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