拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司姜宗帅获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种真空传输阀门、控制方法及半导体薄膜设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119419141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411589547.X,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权一种真空传输阀门、控制方法及半导体薄膜设备是由姜宗帅;吴凤丽;杨华龙;郭月;马硕设计研发完成,并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空传输阀门、控制方法及半导体薄膜设备在说明书摘要公布了:本发明公开了一种真空传输阀门、控制方法及半导体薄膜设备,该真空传输阀门应用于半导体薄膜设备,真空传输阀门包括密封阀盒,密封阀盒与所述工艺腔室之间设置有第一密封件,还包括:第二密封件,设置于所述密封阀盒上,位于第一密封件与所述工艺腔室之间;转接部,设置于所述密封阀盒上,用于将所述第二密封件固定安装于所述密封阀盒上。本发明通过在真空传输阀门的密封阀盒上设置转接部和第二密封件,并使第二密封件位于第一密封件和工艺腔室之间,这样即便当第二密封件被腐蚀或者发生气体泄漏时,也可以直接通过拆卸转接部来实现对第二密封件进行更换的效果,从而避免密封阀盒与工艺腔室断开,以此缩短设备的宕机时间,提高密封件的更换效率。
本发明授权一种真空传输阀门、控制方法及半导体薄膜设备在权利要求书中公布了:1.一种真空传输阀门,应用于半导体薄膜设备,所述半导体薄膜设备包括工艺腔室和传输腔室,所述真空传输阀门包括密封阀盒,所述密封阀盒设置于所述工艺腔室和传输腔室之间,所述密封阀盒与所述工艺腔室之间设置有第一密封件,其特征在于,所述真空传输阀门还包括: 第二密封件,设置于所述密封阀盒上,且位于所述第一密封件与所述工艺腔室之间; 转接部,可拆卸地设置于所述密封阀盒上,用于将所述第二密封件固定安装于所述密封阀盒上。
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