长鑫科技集团股份有限公司萧聪获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421417B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310937729.0，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权半导体结构及其制备方法是由萧聪;曾凡清设计研发完成，并于2023-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；堆叠结构，位于基底上，包括交替堆叠的半导体掺杂层与第一隔离层，第一隔离层两侧均具有半导体掺杂层；控制栅结构，由堆叠结构贯穿至基底，包括控制栅介质层以及控制栅线，控制栅介质层环绕控制栅线；浮栅结构，位于相邻半导体掺杂层之间，包括隧穿层以及浮置栅极，浮置栅极环绕控制栅结构，隧穿层环绕浮置栅极；沟道层，位于相邻半导体掺杂层之间，环绕隧穿层，且被第一隔离层包围。本申请实施例可以有效提高闪存器件性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 堆叠结构，位于所述基底上，包括交替堆叠的半导体掺杂层与第一隔离层，所述第一隔离层沿堆叠方向的两侧均具有所述半导体掺杂层； 控制栅结构，由所述堆叠结构贯穿至所述基底，包括控制栅介质层以及控制栅线，所述控制栅介质层环绕所述控制栅线，所述控制栅线在与所述第一隔离层相对的部分具有延伸至相邻所述半导体掺杂层之间的凸起； 浮栅结构，位于相邻所述半导体掺杂层之间，包括隧穿层以及浮置栅极，所述浮置栅极环绕所述控制栅结构，所述隧穿层环绕所述浮置栅极； 沟道层，位于相邻所述半导体掺杂层之间，环绕所述隧穿层，且被所述第一隔离层包围。
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