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龙图腾网获悉北京大学东莞光电研究院申请的专利一种易剥离的金刚石薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433485B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411606061.2，技术领域涉及：C23C16/02；该发明授权一种易剥离的金刚石薄膜及其制备方法是由王忠强;王琦;梁智文;林良维;姜永京;刘强;王新强设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种易剥离的金刚石薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种易剥离金刚石薄膜及其制备方法，包括如下步骤：选取表面光滑的硅片作为衬底；用等离子体活化硅片表面；在活化后的硅片表面涂布纳米金刚石种晶；将涂布种晶的硅片转入MPCVD设备金刚石生长设备中，在生长金刚石膜的初期阶段，硅片表面温度低于750℃，在工艺气体中除了含氢、碳的气体外，还通入适量的含氮气体，然后调节腔压、微波功率以及气体配方，继续升温至适宜金刚石生长的温度区间，当金刚石薄膜生长到预定厚度以后，降温取出。本发明方法生长的金刚石薄膜既保持金刚石薄膜完整无裂纹，又保证了通过物理方法将金刚石薄膜从硅片上完整剥离下来，且金刚石薄膜的剥离面光滑度高，方便下一步的工业应用。

本发明授权一种易剥离的金刚石薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种易剥离的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 选取表面光滑的硅片作为衬底，所述硅片至少一面抛光，且抛光面在30μm*30μm测量区域内的表面粗糙度Rms＜10nm； 用等离子体活化硅片表面； 在活化后的硅片表面涂布金刚石种晶，具体为：将平均粒径小于100nm的金刚石种晶分散于溶液中，形成质量分数为0.01-5%的金刚石分散液，将金刚石分散液旋涂于硅片表面并甩干； 将涂布种晶的硅片转入MPCVD设备金刚石生长设备中，生长金刚石薄膜，具体包括： 形核成膜阶段，将涂布种晶的硅片置于MPCVD设备中，通入氢气，增加腔压及微波功率，激发等离子体，衬底表面温度达到550℃时，再通入甲烷和氮气，氢气：甲烷：氮气的质量流量比为500：10-100：1-30，形核温度550-650℃，形核时间为3-30min，工艺气体中：0.5%＜碳元素：氢元素的摩尔比＜1.2%，0.1%＜氮元素：氢元素的摩尔比＜0.4%； 薄膜生长阶段，调节MPCVD设备中的工艺气体为氢气和甲烷，氢气：甲烷的质量流量比为500：1-30，继续增加腔压及微波功率，维持衬底表面温度为750-850℃，当金刚石薄膜生长到预定厚度以后，降温取出。

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