华中科技大学范继获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119470972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411625824.8，技术领域涉及：G01P15/125；该发明授权一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法是由范继;赵坤伟;陈天佑;刘骅锋;伍文杰设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于惯性传感器技术领域，具体公开了一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法。通过本申请，在拾取电极背部正对位置形成镂空区域，降低拾取电极与上盖硅衬底之间的正对面积降低寄生电容。此外，在拾取电极之间设置接地极板，屏蔽了激励电极与上盖板硅衬底之间的相对运动，进一步降低了激励电极与硅衬底之间寄生电容的影响。通过薄膜支撑结构，结合等离子体干法刻蚀，在MEMS加速度计拾取电极背部形成镂空区域，该制备方法工艺简单，适用于各种电容式MEMS加速度计或重力仪中，具有较好的兼容性和实用性。
本发明授权一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低寄生电容的MEMS加速度计，其特征在于，包括弹簧振子结构和上盖板； 所述上盖板沿面向弹簧振子结构的方向依次包括：硅衬底、金属薄膜、绝缘支撑薄膜和若干拾取电极； 所述硅衬底和金属薄膜上同时设有镂空区域，所述镂空区域正对至少一个拾取电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励