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龙图腾网获悉中国石油天然气股份有限公司申请的专利稠油原位低温氧化封窜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119507903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311085528.9，技术领域涉及：E21B49/00；该发明授权稠油原位低温氧化封窜的方法是由苏日古;肖鲜东;陈登亚;陈龙;彭邦洲;王美洁;李屹洋;展宏洋;陈莉娟;阙军仁设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本稠油原位低温氧化封窜的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种稠油原位低温氧化封窜的方法，包括：步骤S10：确定注入井与注入井周围的生产井之间的优势通道或汽窜通道；步骤S20：确定与注入井存在优势通道或汽窜通道的生产井的低温氧化成焦的温度范围T1至T2；步骤S30：对与注入井存在优势通道或汽窜通道的生产井进行井底温度T、井底压力P进行测试，并根据井底温度T和井底压力P选择对应的封堵方法进行封堵；步骤S40：对与注入井存在优势通道或汽窜通道的生产井进行检测，以确定封堵效果。本发明解决了现有技术中汽窜通道封堵后耐温性差、封堵成本高的问题。

本发明授权稠油原位低温氧化封窜的方法在权利要求书中公布了：1.一种稠油原位低温氧化封窜的方法，其特征在于，包括： 步骤S10：确定注入井10与所述注入井10周围的生产井20之间的优势通道或汽窜通道； 步骤S20：确定与所述注入井10存在优势通道或汽窜通道的所述生产井20的低温氧化成焦的温度范围T1至T2； 步骤S30：对与所述注入井10存在优势通道或汽窜通道的所述生产井20进行井底温度T、井底压力P进行测试，并根据所述井底温度T和所述井底压力P选择对应的封堵方法进行封堵； 步骤S40：对与所述注入井10存在优势通道或汽窜通道的所述生产井20进行检测，以确定封堵效果； 所述步骤S30包括： 若所述井底温度T满足T1＜T＜T2，则从所述注入井10注入含有重质组分的第一预设体积的原油、第二预设体积的空气，同时控制所述井底压力P不变，形成低温焦炭，封堵汽窜层位； 若所述井底温度T满足T＜T1或T＞T2，则调整汽窜通道内温度处于T1至T2之间，所述注入井10注入含有重质组分的第一预设体积的原油、第二预设体积的空气，同时控制所述井底压力P不变，封堵汽窜层位； 若所述井底温度T满足T＜T1或T＞T2，则调整汽窜通道内温度处于T1至T2之间，所述注入井10注入含有重质组分的第一预设体积的原油、第二预设体积的空气，同时控制所述井底压力P不变，封堵汽窜层位的过程中包括： 若所述井底温度T满足T＜T1，则从所述注入井10注入含有重质组分的第一预设体积的原油、第二预设体积的空气，从所述生产井20注入预设温度的高温蒸汽，以控制汽窜通道内温度处于T1至T2之间，同时控制所述井底压力P不变，形成低温焦炭，封堵汽窜层位； 若所述井底温度T满足T＞T2，则从所述注入井10注入含有重质组分的第一预设体积的原油、第二预设体积的空气，从所述生产井20注入第三预设体积的常温清水，以控制汽窜通道内温度处于T1至T2之间，同时控制所述井底压力P不变，发生低温氧化反应，生成致密焦炭，封堵汽窜层位。

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