中国科学院微电子研究所尤楠楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411562920.2，技术领域涉及：H01L21/46；该发明授权一种氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理方法是由尤楠楠;王盛凯;徐杨;王嘉义;李泠设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理方法，包括：在衬底上制备非晶氧化物半导体沟道薄膜，得到含沟道薄膜的非晶氧化物半导体样品；将样品放入等离子设备的反应腔中，并对反应腔进行抽真空处理；对抽真空后的反应腔内通入反应气体与辅助气体；对等离子体设备的输入功率与气体分压进行第一次调节以在反应腔内激发反应气体起辉生成等离子体；在预设的第一时间阈值内，对等离子体设备的输入功率与气体分压进行第二次调节以改变等离子体的密度与能量，在反应腔内实现非晶氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理。该方法利用氧等离子体与含氧非晶氧化物半导体薄膜之间的氧交换，降低沟道中的氢浓度，提高非晶氧化物半导体沟道的质量。
本发明授权一种氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上制备非晶氧化物半导体沟道薄膜，得到含沟道薄膜的非晶氧化物半导体样品； 将所述含沟道薄膜的非晶氧化物半导体样品放入等离子设备的反应腔中，并对所述反应腔进行抽真空处理； 对抽真空后的所述反应腔内通入反应气体与辅助气体，所述反应气体为氧气，所述辅助气体为氮气与惰性气体中的一种或多种； 对所述等离子体设备的输入功率与气体分压进行第一次调节以在所述反应腔内激发反应气体起辉生成等离子体； 在预设的第一时间阈值内，对所述等离子体设备的输入功率与气体分压进行第二次调节以改变所述等离子体的密度与能量，在所述反应腔内实现所述非晶氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理，得到含氧等离子体环境； 基于所述含氧等离子体环境，通过所述氧等离子体与含氧非晶氧化物半导体薄膜之间进行氧交换，实现所述非晶氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理。
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