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龙图腾网获悉普瑞(无锡)研发有限公司申请的专利一种发光二极管结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411668386.3，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种发光二极管结构及制作方法是由王锋;张秀敏;陈晓冰;李宏磊;杜高云;黄慧诗设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种发光二极管结构及制作方法。本发明包括衬底、背反射镜、缓冲层、第一半导体层、活性层、第二半导体层，沿第二半导体层设置有延伸至第一半导体层的Mesa结构，Mesa结构包括使部分第一半导体层露出的台阶面和凹槽；透明导电层，设置于第二半导体层上；电流阻挡层，包括第一绝缘层一和第一绝缘层二；第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘部分贯穿透明导电层和第一绝缘层一并分别与透明导电层、第一绝缘层一以及第二半导体层接触，第二焊盘部分与凹槽底壁接触；第二绝缘层，至少部分设置于透明导电层上；多个微盘谐振腔结构，分布于第二绝缘层表面并通过微孔与透明导电层表面接触。通过引入微盘谐振腔结构，显著提升了光耦合效率和取光效率。

本发明授权一种发光二极管结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括： 衬底1； 背反射镜27，设置于所述衬底1背面； 外延结构，包括依次沿所述衬底1正面设置的缓冲层21、第一半导体层22、活性层23和第二半导体层24；其中，沿所述第二半导体层24设置有延伸至所述第一半导体层22的Mesa结构，所述Mesa结构包括使部分所述第一半导体层22露出的台阶面25和凹槽26； 透明导电层3，设置于所述第二半导体层24上； 电流阻挡层，包括设置于部分所述第二半导体层24表面上的第一绝缘层一41以及设置于所述凹槽26底壁的第一绝缘层二42； 第一焊盘51和第二焊盘52，所述第一焊盘51部分贯穿所述透明导电层3和所述第一绝缘层一41并分别与所述透明导电层3、所述第一绝缘层一41以及所述第二半导体层24接触，所述第二焊盘52设置于所述第一绝缘层二42上方，并部分与所述凹槽26底壁接触； 第二绝缘层6，至少部分设置于所述透明导电层3上，其中，所述第二绝缘层6上开设有延伸至所述透明导电层3表面的微孔； 多个微盘谐振腔结构7，分布于所述第二绝缘层6表面并通过所述微孔与所述透明导电层3表面接触，其中，所述透明导电层3和微盘谐振腔结构7的折射率均大于所述第二绝缘层6。

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