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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种电阻式存储器的模拟电导态高速写入方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411669903.9，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种电阻式存储器的模拟电导态高速写入方法及应用是由孙仲;王识清;黄如设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电阻式存储器的模拟电导态高速写入方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电阻式存储器的模拟电导态高速写入方法，属于半导体、模拟计算和集成电路领域。本发明方法基于电学信号连接输入模块、参考电阻模块、电阻式存储器模块和反馈模块构成的连续时间域内的反馈回路，可以在连续时间内自主编程电阻式存储器到达任意模拟电导态，并且通过反馈信号实现智能判断是否到达目标电导态并终止写入的过程，无需多轮读取验证，提高了器件的编程速度，且无需模数转换和额外的逻辑判断电路，可以极大地提高矩阵运算加速器中存储器阵列编程的速度和效率，充分发挥出模拟计算和存内计算的潜力，对于加速神经网络推理和训练等需要大量器件编程的场景有着重要意义和广阔的发展前景。

本发明授权一种电阻式存储器的模拟电导态高速写入方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种电阻式存储器的模拟电导态高速写入方法，其特征在于，该方法基于由输入模块、 参考电阻模块、电阻式存储器模块和反馈模块构成的模拟电路，基于电学信号连接各个模块，构成连续时间域内的反馈回路，在连续时间内自主编程电阻式存储器到达任意模拟电导态，并且通过反馈信号实现智能判断是否到达目标电导态并终止写入的过程；包括以下步骤： 1重置电阻式存储器的电导态； 所述电阻式存储器模块由单个电阻式存储器构成，通过开关S1连接在反馈模块与参考电阻模块相连的公共节点上；对电阻式存储器施加重置Reset电压脉冲，即将电阻式存储器顶电极TE端接地、底电极BE端施加正向电压脉冲，完成Reset操作后，电阻式存储器被调节到低电导态； 2调节参考电阻模块的电导值，选定目标电导态； 3由输入模块的输入电源提供直流电压，调节施加在电阻式存储器上的初始电压值； 所述输入模块包括输入电源、固定电阻和由一个运算放大器OA构建的模拟反相器，输入电源通过一个固定电阻和该模拟反相器的反相输入端电阻直接相连，模拟反相器的输出端与电阻式存储器相连；输入电源为电路提供一定幅度的直流电压，用于调节模拟反相器的输出端电压，即施加在电阻式存储器上的初始电压值； 4将电阻式存储器接入，构成完整的连续时间域内的反馈回路； 5将电阻式存储器电导态编程到目标电导态附近，并实现自主判断并终止的功能； 所述连续时间域内的反馈回路中，反馈模块探测到存储器和参考电阻的电导差距，并将该电导差距通过输出端以电压信号的形式反馈到输入模块，完成电学信号的反馈过程，在这个过程中电阻式存储器被编程，其电导值不断增大，向目标电导值靠拢，两者之间的差距越来越小，输入模块将根据反馈得到的电压信号自主连续调节施加在电阻式存储器上的电压值，直至电阻式存储器电导值到达目标电导值附近，此时施加在电阻式存储器上的电压将下降为0V，写入过程终止，整个判断过程和终止写入过程是反馈回路通过电学信号的反馈自主实现的，因此可以将电阻式存储器写入到任意模拟电导态。

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