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龙图腾网获悉陕西半导体先导技术中心有限公司申请的专利沟槽栅双控制极4H-SiC复合晶体管结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604003B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772227.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权沟槽栅双控制极4H-SiC复合晶体管结构及制备方法是由王彩琳;何晓宁;李佳;惠文宇;李阳善;郭智伟;李钊君设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅双控制极4H-SiC复合晶体管结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽栅双控制极4H‑SiC复合晶体管结构及制备方法，结构由多元胞结构并联形成的有源区及沟槽‑结终端延伸复合终端区构成；将n+源区和p+区分离，引入双控制极，分别控制并联VUMOS与BJT的开通和关断，以降低DCT的导通电阻和损耗，同时减小沟道密度，以增加短路耐受时间，提高抗短路能力，并消除体二极管对器件特性的影响；在有源区沟槽底部形成侧面圆弧状的p浮置区，其边缘包裹沟槽拐角，以降低该处栅氧化层内的电场强度，解决栅氧化层容易击穿问题；采用沟槽‑结终端延伸复合终端，以减小终端尺寸并获得高的耐压效率，能满足实际应用对功率MOSFET特性及可靠性要求并具有低成本。

本发明授权沟槽栅双控制极4H-SiC复合晶体管结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅双控制极4H-SiC复合晶体管结构，其特征在于，由中央多个元胞结构并联形成的有源区以及外围的沟槽-结终端延伸复合终端区构成； 所述元胞结构包括：4H-SiCn+衬底上依次设置的n缓冲层、n-漂移区、n载流子扩展层、p体区和n+源区；所述元胞结构中央设置有有源区沟槽，由n+源区向下贯穿至n-漂移区内；所述有源区沟槽下方设置有外侧为圆弧状的p浮置区，其圆弧边缘包裹所述有源区沟槽的拐角；所述有源区沟槽的侧面及底面覆盖有栅氧化层，且内部填充有重掺杂的多晶硅作为沟槽栅极G；每一侧的n+源区和p体区形成台面结构，在每一侧台面结构下方的p体区内靠近外侧边缘的顶层区域内设置有p+区，且和同侧的n+源区具有间距；n+源区的表面设置有源极S；p+区的表面设置有基极B；所述有源区沟槽的表面覆盖有磷硅玻璃层，以将沟槽栅极G与源极S隔离；所述4H-SiCn+衬底的背面设置有漏极D；所述沟槽栅极G和所述基极B均为控制极；所述元胞结构以中央的沟槽栅极G为轴左右对称，相当于VUMOS和BJT的并联； 所述沟槽-结终端延伸复合终端区与有源区最外侧元胞结构的对应层相连，包括4H-SiCn+衬底上依次设置的n缓冲层、n-漂移区、n载流子扩展层、p体区，以及4H-SiCn+衬底背面的漏极D；其p体区、n载流子扩展层和一部分n-漂移区，与剩余部分的n-漂移区形成台面结构作为终端区沟槽，在所述终端区沟槽下方拐角处的n-漂移区内局部区域中设置有p结终端延伸区，所述p结终端延伸区靠近所述终端区沟槽的侧边为圆弧状，且将所述终端区沟槽的拐角包裹。

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