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龙图腾网获悉深圳市国微电子有限公司申请的专利一种SCR器件、工艺方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411441966.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种SCR器件、工艺方法及芯片是由李会羽;刘屹琳;陈锡均;黄曦原设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SCR器件、工艺方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SCR器件、工艺方法及芯片，相比于传统的LVTSCR器件，本发明中的SCR器件的触发电压更低、维持电压更高，能够避免深回滞现象，拓展了SCR器件的应用场景，使得SCR器件能够应用于高工作电压端口。本发明中的SCR器件还能够形成多条ESD电流泄放路径，使得芯片的单位面积下ESD电流泄放能力更高，使得SCR器件具有低导通电阻特性，有效节约了芯片的面积，降低了芯片的生产成本；此外，多条ESD电流泄放路径使得ESD电流在SCR器件内的分布更加均匀，有效提高了SCR器件在大电流下的泄放路径鲁棒性。

本发明授权一种SCR器件、工艺方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种SCR器件，其特征在于，包括： p型衬底、在所述p型衬底中形成的n型深阱区、在所述n型深阱区中形成的第一p型阱区、在所述p型衬底中形成的第二p型阱区、在所述n型深阱区与所述p型衬底的交界处同时向所述n型深阱区和所述p型衬底注入形成的第一n型阱区、在所述第一n型阱区上形成的第一p重掺杂区、在所述第一n型阱区与所述第一p型阱区的交界处同时向所述第一n型阱区和所述第一p型阱区注入形成的第一n重掺杂区、在所述第一p型阱区上形成的第二p重掺杂区、在所述第一p型阱区上形成的第三p重掺杂区、在所述第一p型阱区上形成的第二n重掺杂区、在所述第一p型阱区与所述第一n型阱区的交界处同时向所述第一p型阱区和所述第一n型阱区注入形成的第三n重掺杂区、在所述第一n型阱区上形成的第四n重掺杂区； 所述第一n型阱区环设于所述第一p型阱区的外周，所述第二p型阱区环设于所述第一n型阱区的外周； 所述第一p重掺杂区、所述第一n重掺杂区、所述第二p重掺杂区、所述第三p重掺杂区、所述第二n重掺杂区、所述第三n重掺杂区以及所述第四n重掺杂区沿第一方向间隔设置，所述第一方向垂直于所述p型衬底的厚度方向；所述SCR器件还包括栅介质层、阴极以及阳极；所述栅介质层形成于所述第二n重掺杂区、第三n重掺杂区与第一p型阱区之间；所述第一p重掺杂区和所述第四n重掺杂区均金属互联于所述阳极；所述第三p重掺杂区和所述第二n重掺杂区均金属互联于所述阴极；所述第一n重掺杂区均金属互联于所述第三n重掺杂区；所述第二p重掺杂区金属互联于所述栅介质层。

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