长江存储科技有限责任公司祁卫获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311196820.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质是由祁卫;李达;王雅;许锋;田瑶瑶;陈文平;张帅设计研发完成，并于2023-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质；存储器装置包括存储单元阵列及外围电路；存储单元阵列包括多个存储块；每个存储块包括多个存储单元及多条字线；外围电路被配置为：对选定字线耦接的存储单元执行第一读取操作时，在第一字线上施加第一通过电压，在第二字线上施加第二通过电压，以及在第三字线上施加第三通过电压；第一字线为物理位置处于选定字线上、下的各至少一条字线；第二字线和第三字线均为物理位置处于第一字线远离选定字线一侧的字线，第二字线耦接的存储单元为已编程的存储单元，第三字线耦接的存储单元为未编程的存储单元；第一通过电压、第二通过电压以及第三通过电压均不相同。
本发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，包括：存储单元阵列及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；所述存储单元阵列包括多个存储块；每个所述存储块包括多个存储单元及与所述多个存储单元耦接的多条字线； 所述外围电路被配置为： 对选定字线耦接的存储单元执行第一读取操作时，在第一字线上施加第一通过电压，在第二字线上施加第二通过电压，以及在第三字线上施加第三通过电压；所述第一字线为物理位置处于所述选定字线上、下的各至少一条字线；所述第二字线和所述第三字线均为物理位置处于所述第一字线远离所述选定字线一侧的字线，所述第二字线耦接的存储单元为已编程的存储单元，所述第三字线耦接的存储单元为未编程的存储单元；所述第一通过电压、所述第二通过电压以及所述第三通过电压均不相同。
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