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龙图腾网获悉闽南师范大学申请的专利一种制备Ge/Si SACM APD的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411894125.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种制备Ge/Si SACM APD的方法是由刘冠洲;王战仁;柯少颖;孟文浩;江肖龙设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备Ge/Si SACM APD的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制备超高增益GeSiSACMAPD的新方法。该方法为将Si外延片和Ge片经表面处理后，采用高真空原位溅射键合技术在GeSi键合界面溅射3nm的a‑Si作为键合中间层后直接在高真空下原位键合；经分步骤长时间退火，实现Si基Ge薄膜的剥离；将剥离后的Si基Ge薄膜放入高真空退火炉内进行高温退火，实现Ge薄膜不均匀应变的释放和点缺陷的修复；采用抛光和离子注入制备P+接触层；最后通过光刻、刻蚀和钝化等工艺制备出具有垂直结构的吸收、电荷和倍增分离型高性能GeSiSACMAPD；直径为30μm的GeSiAPD器件在1310nm和1550nm波长下的响应度为1.145AW和2.57AW，增益分别可以达到1.79×106和1.69×105，暗电流低至1.79μA。

本发明授权一种制备Ge/Si SACM APD的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备GeSiSACMAPD的方法，其特征在于，包括： 首先将Si外延片和Ge片进行表面处理，然后采用高真空原位溅射键合技术在GeSi键合界面溅射a-Si作为键合中间层后，直接在高真空下原位键合；然后将键合后的GeSi经分步骤长时间退火，实现Si基Ge薄膜的剥离； 其次，将剥离后的Si基Ge薄膜放入高真空退火炉内进行退火，实现Ge薄膜不均匀应变的释放和点缺陷的修复；然后对修复完成Si基Ge薄膜的采用抛光和离子注入制备P+接触层； 最后通过光刻、刻蚀和钝化工艺制备出具有垂直型吸收、电荷及倍增分离结构的GeSiSACMAPD； 其中，将Si外延片和Ge片进行表面处理的内容包括： 先进行离子注入：采用等离子体化学气相沉积系统在Ge片表面沉积SiO2作为离子注入保护层，然后进行H+离子注入； 在Si衬底上面外延单晶Si外延片，然后在Si外延片表面注入硼离子，接着采用快速热退火激活注入的硼离子，形成P型轻掺杂的电荷层； 离子注入完成后进行化学清洗：采用HF:H2O溶液将Ge片表面的SiO2浸泡，腐蚀掉SiO2保护层，得到处理完成后的Si外延片和Ge片； 其中，采用高真空原位溅射键合技术对Si外延片和Ge片进行溅射a-Si，然后进行原位键合；以及采用经分步骤长时间退火来实现Si基Ge薄膜的剥离的过程包括： 对进行表面处理后的Si外延片和Ge片，用匀胶机甩干后迅速放进双面磁控热压溅射一体机腔体内，待溅射室真空度小于1×10-4Pa时，向溅射室内充入Ar气体，通过改变Ar气流量调节溅射室内气压，在Si外延片上沉积的a-Si薄膜； 溅射完a-Si薄膜后的Si外延片，与Ge片直接在双面磁控热压溅射一体机腔内直接键合得到完成键合的GeSi样品； 将完成GeSi键合的样品放进管式炉中，在N2氛围下进行分步骤长时间退火，实现Si基Ge薄膜的剥离； 其中，对Ge薄膜不均匀应变的释放和点缺陷的修复的过程包括： 将剥离后的Si基Ge薄膜放入高真空退火炉中在高真空环境下进行退火，实现Ge薄膜中不均匀应变的释放和点缺陷的修复； 其中，采用抛光和离子注入制备P+接触层的过程包括： 采用化学机械研磨抛光机对Ge薄膜表面进行抛光； 抛光后的Ge薄膜，放置于石英烧杯中，倒入适量酒精，放入水浴锅中，用以去除Si衬底背面的石蜡；在酒精水浴结束后，将Si基Ge薄膜依次采用丙酮、乙醇和去离子水超声，去除Ge薄膜表面吸附的颗粒物； 清洗后的Ge薄膜表面进行硼离子注入，然后采用等离子体化学气相沉积系统在Ge薄膜表面沉积SiO2薄膜，最后将样品放置于管式退火炉中，在N2氛围下退火，激活离子注入的硼离子。

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