国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司刘敬伟获国家专利权
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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种压电-热光复合调制器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510042200.1，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种压电-热光复合调制器及其制备方法是由刘敬伟;蔡丰任;李春龙;周良;李超;张彦乐;花晓强设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电-热光复合调制器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种压电‑热光复合调制器及其制备方法，压电‑热光复合调制器包括：硅光集成电路结构，包括衬底层及位于衬底层一侧的波导芯；热光调制结构，位于波导芯背向衬底层的一侧；热光调制结构包括加热定值电阻和热光电极；加热定值电阻的位置与波导芯的位置相对应；热光电极连接加热定值电阻；压电调制结构，位于波导芯背向衬底层的一侧；压电调制结构包括层叠的第一压电电极、压电薄膜材料层和第二压电电极；压电薄膜材料层的位置与波导芯的位置相对应；第一压电电极还延伸至压电薄膜材料层的侧部。与相关技术相比，本发明可以同时实现压电调制和热光调制，降低π相移调节的驱动电压，提高调制速度。
本发明授权一种压电-热光复合调制器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压电-热光复合调制器，其特征在于，包括： 硅光集成电路结构，包括衬底层及位于所述衬底层一侧的波导芯； 热光调制结构，位于所述波导芯背向所述衬底层的一侧；所述热光调制结构包括加热定值电阻和热光电极；所述加热定值电阻的位置与所述波导芯的位置相对应；所述热光电极连接所述加热定值电阻； 压电调制结构，位于所述波导芯背向所述衬底层的一侧；所述压电调制结构包括层叠的第一压电电极、压电薄膜材料层和第二压电电极；所述压电薄膜材料层的位置与所述波导芯的位置相对应；所述第一压电电极还延伸至所述压电薄膜材料层的侧部； 包层，所述包层包覆所述硅光集成电路结构、所述热光调制结构和所述压电调制结构，并暴露所述热光电极、部分所述第一压电电极和部分所述第二压电电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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