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龙图腾网获悉武汉衷华脑机融合科技发展有限公司申请的专利柔性微电极阵列及其制备方法、脑机接口装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119690243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411637701.6，技术领域涉及：G06F3/01；该发明授权柔性微电极阵列及其制备方法、脑机接口装置是由黄立;黄晟;何贻宁;祖凯旋;刘博文;姚娜;王颖;程思佳设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本柔性微电极阵列及其制备方法、脑机接口装置在说明书摘要公布了：本申请公开了柔性微电极阵列及其制备方法、脑机接口装置，涉及人工智能领域。包括：柔性衬底、多个脑信号金属电极、第一金属导接组件及第二金属导接组件，所述柔性衬底具有相对设置的第一侧和第二侧；所述多个脑信号金属电极设于所述第一侧，形成电极阵列；所述第一金属导接组件，设于所述柔性衬底的第二侧，并封装于所述柔性衬底内，包括多个第一连接位点和多条连接导线；所述第二金属导接组件包括多个暴露于所述柔性衬底的第二连接位点，所述第二连接位点设于所述柔性衬底的第一侧或第二侧；多个第一连接位点与多个脑信号金属电极分别相连，同时通过多条连接导线与多个第二连接位点分别相连；多个所述第二连接位点用以与处理器通信连接。

本发明授权柔性微电极阵列及其制备方法、脑机接口装置在权利要求书中公布了：1.一种用于脑机接口的柔性微电极阵列，其特征在于，包括： 柔性衬底，具有相对设置的第一侧和第二侧； 多个脑信号金属电极，设于所述第一侧，间隔形成电极阵列； 第一金属导接组件，设于所述柔性衬底的第二侧，并封装于所述柔性衬底内，包括多个第一连接位点和多条连接导线；以及， 第二金属导接组件，包括多个暴露于所述柔性衬底的第二连接位点，所述第二连接位点设于所述柔性衬底的第二侧，且所述第二金属导接组件设于所述第一金属导接组件的周侧； 其中，多个所述第一连接位点与多个所述脑信号金属电极分别相连，同时通过多条连接导线与多个第二连接位点分别相连； 多个所述第二连接位点用以与处理器通信连接； 通过对凸起尖端结构刻蚀处理制备通孔结构，使得在柔性衬底的第一侧设置多个含安装通道的突起； 在通孔结构中制备导电金属材料得到金属尖端结构即金属电极，实现将脑信号金属电极分别置于突起的含安装通道内，尖端暴露。

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