长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119697989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411798897.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由唐怡;李辉辉;孟皓;施繼雄设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：导线堆叠结构，导线堆叠结构包括多个沿竖直方向间隔设置的导线层，导线层包括第一导线部和第二导线部，导线层沿第一方向延伸；位于导线堆叠结构沿第二方向一侧的存储结构，存储结构与第一导线部电连接；位于导线堆叠结构沿第二方向另一侧的接触插塞，接触插塞与第一导线部电连接；屏蔽结构，屏蔽结构至少夹设于竖直方向上相邻的第二导线部之间。上述半导体结构可以降低半导体结构内的寄生电容。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 导线堆叠结构，所述导线堆叠结构包括多个沿竖直方向间隔设置的导线层，所述导线层包括第一导线部和第二导线部，所述导线层沿第一方向延伸； 位于所述导线堆叠结构沿第二方向一侧的存储结构，所述存储结构与所述导线层电连接； 位于所述导线堆叠结构沿第二方向另一侧的接触插塞，所述接触插塞与所述第一导线部电连接； 屏蔽结构，所述屏蔽结构至少夹设于所述竖直方向上相邻的所述第二导线部之间； 其中，所述半导体结构还包括衬底； 所述导线层在所述衬底上的投影为环形，所述导线层包括沿第二方向平行排布的两个第一导线部，两个所述第二导线部分别连接两个第一导线部的两端； 所述存储结构包括第一存储结构和第二存储结构，所述第一存储结构和所述第二存储结构分别位于导线堆叠结构的相背两侧。
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