惠州学院邓建明获国家专利权
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龙图腾网获悉惠州学院申请的专利一种获得单畴铁电半导体单晶的极化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891530.X，技术领域涉及：C30B29/10；该发明授权一种获得单畴铁电半导体单晶的极化方法是由邓建明;李水琴;韩飞飞;朱庆丰;梅海娟;龚伟平设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种获得单畴铁电半导体单晶的极化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种获得单畴铁电半导体单晶的极化方法，包括以下步骤：S100：提供待极化的原材料，所述原材料的居里温度为Tc，原材料的生长温度为Tg；S200：将原材料的温度加热至第一预设温度T1，Tc＜T1＜Tg，使原材料在第一预设温度T1保温第一预设时长S1，以使原材料各处受热均匀；S300：步骤S200的保温结束后将原材料的温度降低至室温，同时在整个降温过程中引入光照，光照强度位于第一预设范围，光照结束后获得单畴铁电半导体单晶。
本发明授权一种获得单畴铁电半导体单晶的极化方法在权利要求书中公布了：1.一种获得单畴铁电半导体单晶的极化方法，其特征在于，包括以下步骤： S100：提供待极化的原材料多畴块状Sn2P2S6铁电半导体单晶，所述原材料的居里温度为Tc，原材料的生长温度为Tg； S200：将原材料放在带透明钟罩的加热台中进行加热，所述加热台的温度按照3℃min～5℃min的升温速度从室温上升至第一预设温度T1，以将原材料的温度加热至第一预设温度T1，Tc＜T1＜Tg，70℃≤T1≤90℃，使原材料在第一预设温度T1保温第一预设时长S1，30min≤S1≤60min，以使原材料各处受热均匀； S300：步骤S200的保温结束后，加热台的温度按照0.5℃min～2℃min的降温速度从T1降低至室温，以将原材料的温度降低至室温，同时在整个降温过程中引入光照，光照强度位于第一预设范围1mWcm2～5mWcm2，光照结束后获得单畴Sn2P2S6铁电半导体单晶。
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