长江存储科技有限责任公司王砚获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种存储装置、存储装置操作方法及存储系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119724269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311255087.2,技术领域涉及:G11C5/14;该发明授权一种存储装置、存储装置操作方法及存储系统是由王砚;梁轲;侯春源;邓佳梁设计研发完成,并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储装置、存储装置操作方法及存储系统在说明书摘要公布了:本申请提供了一种存储装置、存储装置操作方法及存储系统,涉及半导体芯片技术领域。存储装置包括存储单元阵列和耦接于存储单元阵列的外围电路,存储单元阵列包括耦接到同一条位线且相邻的第一存储单元和第二存储单元;外围电路包括页缓冲器电路,页缓冲器电路包括:感测节点,耦接到位线;第一锁存电路,耦接到感测节点,被配置为锁存第一存储单元的编程状态;充放电电路,耦接到感测节点,被配置为对感测节点进行充电,以及,对感测节点进行放电,感测节点的放电时长与编程状态相关;第二锁存电路,耦接到感测节点,被配置为根据经过放电时长后感测节点的电压值锁存第二存储单元是否通过编程验证的信息。本申请缩短了存储装置的编程时长。
本发明授权一种存储装置、存储装置操作方法及存储系统在权利要求书中公布了:1.一种存储装置,其特征在于,包括存储单元阵列和耦接于所述存储单元阵列的外围电路;所述存储单元阵列包括耦接到同一条位线的第一存储单元和第二存储单元,所述第一存储单元和所述第二存储单元相邻;所述外围电路包括页缓冲器电路,所述页缓冲器电路包括: 感测节点,耦接到所述位线; 第一锁存电路,耦接到所述感测节点,被配置为锁存所述第一存储单元的编程状态; 充放电电路,耦接到所述感测节点,被配置为对所述感测节点进行充电,以及,对所述感测节点进行放电;所述感测节点的放电时长与所述第一存储单元的编程状态相关; 第二锁存电路,耦接到所述感测节点,被配置为根据经过所述放电时长后感测节点的电压值锁存所述第二存储单元是否通过编程验证的信息。
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