华为技术有限公司李响获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411165950.X，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备是由李响;陈鑫;陈伟;杨哲;张雨;童浩设计研发完成，并于2024-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备在说明书摘要公布了：本公开公开了相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备，属于半导体存储技术领域。该相变材料包括Ge‑Sb‑Te相变基材和掺杂于Ge‑Sb‑Te相变基材的第一掺杂元素和第二掺杂元素。第一掺杂元素包括Hf元素，其原子百分比为1.5％‑6.5％；第二掺杂元素包括N元素、C元素、In元素、Ga元素中的至少一种，其原子百分比为1.0％‑5％。该相变材料在具有高粘附力的同时，且使相变器件兼具大的读窗口和高寿命等性能。
本发明授权相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种相变材料，其特征在于，所述相变材料包括： Ge-Sb-Te相变基材； 第一掺杂元素； 第二掺杂元素； 其中，所述第一掺杂元素与所述第二掺杂元素掺杂于所述Ge-Sb-Te相变基材； 所述第一掺杂元素包括Hf元素，占所述相变材料的原子百分比为1.5%-6.5%； 所述第二掺杂元素包括N元素、C元素中的至少一种，或者包括In元素、Ga元素中的至少一种，占所述相变材料的原子百分比为1.0%-5%。
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