浙江大学杭州国际科创中心刘大建获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种基于纳米线波导的点衍射光源及其光场调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411880921.1，技术领域涉及：G02B6/14；该发明授权一种基于纳米线波导的点衍射光源及其光场调控方法是由刘大建;冯亚川;戴道锌设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于纳米线波导的点衍射光源及其光场调控方法在说明书摘要公布了：本申请涉及波前检测技术领域，公开了一种基于纳米线波导的点衍射光源及其光场调控方法，其中，所述点衍射光源包括硅基底、波导芯层、全包层和渐变包层，所述波导芯层包括耦合器、耦合段直波导、弯曲波导和出射段直波导，所述渐变包层包括二氧化硅包层和空气包层，所述耦合器与所述耦合段直波导相连，所述耦合段直波导与所述弯曲波导相连，所述弯曲波导与所述出射段直波导相连，其中,所述耦合器与所述波导芯层的一侧包裹于所述全包层，所述波导芯层的另一侧包裹于所述渐变包层，以使得所述波导芯层的另一侧处于空气包层。本申请一个或多个实施方式提供的技术方案，可以增大衍射波前的数值孔径。
本发明授权一种基于纳米线波导的点衍射光源及其光场调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米线波导的点衍射光源，其特征在于，所述点衍射光源包括硅基底、波导芯层、全包层和渐变包层，所述波导芯层包括耦合器、耦合段直波导、弯曲波导和出射段直波导，所述渐变包层包括二氧化硅包层和空气包层，所述耦合器与所述耦合段直波导相连，所述耦合段直波导与所述弯曲波导相连，所述弯曲波导与所述出射段直波导相连，其中： 所述二氧化硅包层的宽度渐变分布，所述耦合器、所述耦合段直波导和所述弯曲波导包裹于所述全包层，所述出射段直波导的一端包裹于所述全包层，所述出射段直波导的中间部分包裹于所述二氧化硅包层，所述出射段直波导的另一端包裹于空气包层； 其中，所述二氧化硅包层的宽度根据线性函数渐变分布，或者所述二氧化硅包层的宽度根据贝塞尔曲线渐变分布。
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