上海航天科工电器研究院有限公司黄垚获国家专利权
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龙图腾网获悉上海航天科工电器研究院有限公司申请的专利基于变换光学的异形谐振腔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411819351.5，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权基于变换光学的异形谐振腔是由黄垚;曹军;陈宏志;邵振华;李帅贞设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于变换光学的异形谐振腔在说明书摘要公布了：本发明公开了基于变换光学的异形谐振腔，在回音壁式谐振腔的基材上设置阵列孔，阵列孔的直径空间分布满足式基材上介质折射率分布nx,y满足式本申请通过应用变换光学设计方法，设计异形谐振腔，克服了传统对称腔体设计的局限性，使得可以通过优化腔体结构和材料选择提高了谐振腔的Q值；结合变换光学的光场优化技术和铌酸锂材料的高折射率特性，有效减少了光的边缘散射和材料吸收损耗，进一步降低了谐振腔的总损耗；利用铌酸锂的电光效应，通过外加电场实现谐振腔频率的动态调谐，提供更灵活的谐振特性。
本发明授权基于变换光学的异形谐振腔在权利要求书中公布了：1.基于变换光学的异形谐振腔，其特征在于，在回音壁式谐振腔的基材上设置阵列孔，阵列孔的直径空间分布满足式1： 式1中，nx,y为基材上介质折射率分布，p为结构单元的周期，nair为空气的折射率，nLN为基材的折射率，dx,y为结构单元的空间直径分布； 基材上介质折射率分布nx,y满足式2： 式2中，a是表征谐振腔变形的参数，n0为背景介质的折射率，与式1中的nLN相同；x＝1+2a*cosθ*cosθ，y＝1+2a*cosθ*sinθ； 所述基材的表面形成有波导层，所述基材采用铌酸锂单晶片，所述铌酸锂单晶片受一外加电场，调节电场参数以改变铌酸锂的折射率，动态调谐异形谐振腔的谐振频率。
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